[发明专利]AMOLED阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种AMOLED阵列基板及显示装置。

背景技术

对于顶发射的AMOLED显示装置，阴极采用透明ITO（Indium Tin Oxide，铟锡氧化物）电极形成，而且是一整块覆盖在阵列基板上的块状电极，因此阴极的电阻很高。阴极电阻很高，会增大IR drop，过大的IR drop会影响画面的均一度。为了降低IR drop，现有方案中使用阴极辅助线来降低IR drop，如图1所示，在阵列基板上非像素区域，形成与阴极位于不同层的若干阴极辅助线，通常是与阳极和/或源漏同时形成，如图1中阴极辅助线120与阳极110采用同种材料且同时形成，两者位于同一层。阴极辅助线120与位于上层的阴极通过过孔130连接（图1中，阴极辅助线120和过孔130在整个基板上呈网状结构）。这相当于阴极辅助线120与阴极并联，从而降低了阴极的电阻，因此降低了IR drop。但要在非像素区域（即非显示区域），具体在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干阴极辅助线，会导致整个显示装置的开口率降低。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何在降低IR drop的情况下不影响开口率。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、有机发光层和阴极形成有机发光二极管，所述栅线、信号线及电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，还包括形成在与所述阳极同层，且位于所述栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线，所述阴极辅助线通过穿过所述绝缘间隔层的至少两个过孔连接所述阴极。

其中，所述至少两个过孔均位于所述栅线与信号线或电源线相交的区域。

其中，所述栅线、信号线和电源线对应区域均形成有所述阴极辅助线。

其中，所述至少两个过孔为位于每个所述栅线与信号线或电源线相交的区域的过孔。

其中，所述阴极辅助线的线宽小于等于对应区域的栅线、信号线或电源线各自的线宽。

其中，所述阳极背离所述阴极的一侧还形成有覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层，所述过孔的深度大于所述绝缘间隔层的厚度。

本发明还提供了一种AMOLED显示装置，包括上述任一项所述AMOLED阵列基板。

（三）有益效果

本发明中将阴极辅助线制作在栅线、信号线及电源线对应区域，而不是在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干阴极辅助线，因此不影响开口率，而且在的一定程度上减小了阴极电阻，从而降低了IR drop。

附图说明

图1是现有技术的一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图2是本发明实施例的一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图3是图2的沿A-A的截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明实施例的AMOLED阵列基板如图2和3所示，该阵列基板包括在衬底基板210上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线220及与所述栅线220均垂直的信号线241和电源线242围成。所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构（图2中虚线框所示）、阳极271、阴极290及阳极271和阴极290之间的有机发光层300。具体层次结构如图3所示，由下至上依次包括：衬底基板210、栅金属层（包括：栅线220、薄膜晶体管的栅极）、栅绝缘层230、源漏金属层（包括：信号线241、电源线242及薄膜晶体管的源漏电极）、钝化层250、平坦层260、阳极271、像素定义层280、有机发光层300及阴极290。