[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201310747676.2 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103700775B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 邱勇;段炼;李梦真;张国辉;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 朱振德 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域,具体地说,是一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -LCD ) , OLED 具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
OLED器件一般由阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)及阴极构成。其中,现有技术中电子传输层常使用单一有机材料,但是单一有机材料做电子传输层制备的OLED 器件,往往驱动电压较高,效率较低,由此带来了OLED 屏体功耗较大、寿命不长等问题。在有机电致发光器件中,为了降低器件的工作电压,改进电子与空穴之间的电荷平衡,提高电子的注入与传输效率是非常必要的。现有的提高电子注入效率的技术中,需要限定电子传输层后接阴极的材料,该阴极材料中需要有一种金属,该金属能在真空中将有机络合物中的金属离子还原成相应金属,这限制了阴极材料的选择。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种电子注入效率高的有机电致发光器件及其制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极,所述电子传输层中掺杂有有机金属络合物和活泼金属化合物,其中,所述活泼金属化合物为碱金属化合物、碱土金属化合物或镧系金属化合物。
进一步地,所述有机金属络合物为喹啉金属络合物。
进一步地,所述喹啉金属络合物为Alq3或Gaq3。
进一步地,所述碱金属化合物为碱金属氮化物或碱金属硼氢化物;所述碱土金属化合物为碱土金属氮化物或碱土金属硼氢化物;所述镧系金属化合物为镧系金属氮化物或镧系金属硼氢化物。
进一步地,所述碱金属氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N;所述碱土金属氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2;所述镧系金属氮化物包括LaN;所述碱金属硼氢化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4。
进一步地,所述电子传输层中电子传输材料、有机金属络合物、活泼金属化合物的摩尔比为1:(0.01~5):(0.01~5)。
进一步地,所述电子传输层中电子传输材料、有机金属络合物、活泼金属化合物的摩尔比为1:1:1。
本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括:
在ITO玻璃基片上依次刻蚀阳极图形、蒸镀空穴传输层和有机发光层;
在所述有机发光层上共蒸镀电子传输材料、有机金属络合物、活泼金属化合物,形成电子传输层,其中,所述活泼金属化合物为碱金属化合物、碱土金属化合物或镧系金属化合物;
在所述电子传输层上蒸镀阴极。
进一步地,所述有机金属络合物为喹啉金属络合物。
进一步地,所述喹啉金属络合物为Alq3或Gaq3。
进一步地,所述碱金属化合物为碱金属氮化物或碱金属硼氢化物;所述碱土金属化合物为碱土金属氮化物或碱土金属硼氢化物;所述镧系金属化合物为镧系金属氮化物或镧系金属硼氢化物。
进一步地,所述碱金属氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N;所述碱土金属氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2;所述镧系金属氮化物包括LaN;所述碱金属硼氢化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4。
进一步地,所述电子传输层中电子传输材料、有机金属络合物、活泼金属化合物的摩尔比为1:(0.01~5):(0.01~5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择