[发明专利]一种微带正交平面3dB电桥无效
| 申请号： | 201310746994.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103700916A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 何备;吴仕喜;王正伟;田殷;陈熙 | 申请（专利权）人： | 四川九洲电器集团有限责任公司 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微带 正交 平面 db 电桥 | ||
【权利要求书】：
1.一种微带正交平面3dB电桥，其特征在于：包括底面微波基板、弱耦合枝节和强耦合枝节；所述弱耦合枝节印制于底面微波基板上；所述弱耦合枝节为对称的两个弱耦合枝节；所述两个弱耦合枝节中间连接有强耦合枝节。
2.根据权利要求1所述的3dB电桥，其特征在于：所述强耦合枝节垂直固定于两侧的弱耦合枝节中间。
3.根据权利要求2所述的3dB电桥，其特征在于：所述强耦合枝节的长度为其中心频率的四分之一波长。
4.根据权利要求3所述的3dB电桥，其特征在于：所述弱耦合枝节的长度为其中心频率的四分之一波长。
5.根据权利要求2所述的3dB电桥，其特征在于：所述底面微波基板表面做镀金处理，镀金厚度为2um。
6.根据权利要求2所述的3dB电桥，其特征在于：所述强耦合枝节表面做镀金处理，镀金厚度为2um。
7.根据权利要求2所述的3dB电桥，其特征在于：所述底面微波基板采用介电常数为3.48的材料。
8.根据权利要求2所述的3dB电桥，其特征在于：所述强耦合枝节采用介电常数为2.2的材料。
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