[发明专利]一种太赫兹光电探测器

权利要求书

1.一种太赫兹光电探测器，其特征在于，所述太赫兹光电探测器至少包括：

表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。

2.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述衬底为N型重掺杂硅衬底。

3.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述介质层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述单层石墨烯的厚度小于10nm。

5.根据权利要求4所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述单层石墨烯的厚度范围为2～5nm。

6.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第一金属电极为Au、Ag或Al。

7.根据权利要求6所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第一金属电极之间的距离范围为0.8～1.2μm，所述第一金属电极的宽度范围为200～300nm。

8.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第二金属电极为Au、Ag或Al。

9.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述电压源提供的偏置电压的范围为0.1～0.3V。