[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内的一侧形成有体区；

形成位于所述半导体衬底表面，并覆盖所述体区的掩膜层，所述掩膜层具有多个开口，所述多个开口暴露出另一侧的半导体衬底表面；

以所述掩膜层为掩膜进行掺杂形成预漂移区，所述预漂移区内具有与多个开口相对应的多个子掺杂区；

对所述预漂移区进行退火处理形成漂移区；

形成位于部分体区和部分漂移区表面的栅极结构。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：提供待形成的LDMOS器件的击穿电压或工作电压；根据所述击穿电压或工作电压获得漂移区的长度、漂移区的掺杂离子和对应的掺杂浓度；根据所述漂移区的长度、漂移区的掺杂离子和对应的掺杂浓度获得掩膜层的开口大小、形状和数量。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在各LDMOS器件的漂移区的长度相同，且面积相同，且掩膜层的各开口大小相同的条件下，所述掩膜层在各LDMOS器件所在区域的开口数量的比值与各LDMOS器件的漂移区的掺杂浓度的比值相同。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，掺杂形成的预漂移区内的各子掺杂区的深度均大于浅沟槽隔离结构的深度。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述预漂移区内的各子掺杂区的深度等于所述体区的深度。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体衬底包括多个区域，用于形成多个LDMOS器件时，所述掩膜层位于半导体衬底的多个区域表面，定义出各LDMOS器件的预漂移区。

7.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，对所述预漂移区进行退火处理的温度为900℃-1000℃，退火时间为10秒-30秒。

8.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，对所述预漂移区进行高压退火时，所述退火处理的温度为900℃-1000℃，退火时间为1小时-2小时。

9.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述预漂移区的掺杂类型与体区的掺杂类型相反。

10.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，当体区的掺杂类型为N型时，所述预漂移区的掺杂类型为P型，例如B、BF₂或In；当体区的掺杂类型为P型时，所述预漂移区的掺杂类型为N型，例如P或As。

11.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：以所述栅极结构为掩膜向所述体区内轻掺杂形成轻源区，向漂移区内轻掺杂形成轻漏区；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙；以所述侧墙和栅极结构为掩膜向所述体区内重掺杂形成源区，向所述漂移区内重掺杂形成漏区；对源区和漏区进行退火处理。

12.如权利要求11所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖待形成导电插塞的源区、漏区、栅电极层以及体区表面。