[发明专利]可控硅静电保护器件及其形成方法

权利要求书

1.一种可控硅静电保护器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有P型阱区和与P型阱区相邻的N型阱区；

位于P型阱区内的第一P型掺杂区；

位于第一P型掺杂区和N型阱区之间的P型阱区内第一N型掺杂区；

位于N型阱区内的第二N型掺杂区；

位于第二N型掺杂区和P型阱区之间N型阱区内的第二P型掺杂区；

位于第一N型掺杂区和第二P型掺杂区之间且横跨P型阱区和N型阱区的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区中，第二掺杂区的深度大于第一掺杂区的深度，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂的杂质离子的类型相同，第一掺杂区中杂质离子的浓度大于第二掺杂区中的杂质离子浓度。

2.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区中掺杂的杂质离子的类型为N型。

3.如权利要求2所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第二掺杂区的深度小于N型阱区的深度，第二掺杂区中杂质离子的浓度大于N型阱区中杂质离子的浓度。

4.如权利要求3所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述N型阱区中杂质离子的浓度小于1E18atom/cm³，所述第二掺杂区中的杂质离子的浓度为1E18～1E19atom/cm³，所述第一掺杂区中杂质离子的浓度大于1E19atom/cm³。

5.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区中掺杂的杂质离子的类型为P型。

6.如权利要求5所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第二掺杂区的深度小于P型阱区的深度，第二掺杂区中杂质离子的浓度大于P型阱区中杂质离子的浓度。

7.如权利要求6所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述P型阱区中杂质离子的浓度小于1E18atom/cm³，所述第二掺杂区中的杂质离子的浓度为1E18～1E19atom/cm3，所述第一掺杂区中杂质离子的浓度大于1E19atom/cm³。

8.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，还包括：位于相邻掺杂区之间的浅沟槽隔离结构。

9.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第二掺杂区中杂质离子的浓度从第二掺杂区的下部表面向上部表面逐渐增大。

10.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区内具有若干分立的第三P型掺杂区。

11.如权利要求1所述的可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第二P型掺杂区内具有若干分立的第三N型掺杂区。

12.一种可控硅静电保护器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成P型阱区和与P型阱区相邻的N型阱区；

形成横跨所述P型阱区和N型阱区的第二掺杂区；

在所述第二掺杂区内形成第一掺杂区，第二掺杂区的深度大于第一掺杂区的深度，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂的杂质离子的类型相同，第一掺杂区中杂质离子的浓度大于第二掺杂区中的杂质离子浓度；

在第二掺杂区一侧的P型阱区内形成第一P型掺杂区；

在第二掺杂区一侧的P型阱区内形成第一N型掺杂区，第一N型掺杂区位于第一P型掺杂区和第二掺杂区之间；

在第二掺杂区一侧的N型阱区内形成第二N型掺杂区；

在第二掺杂区一侧的N型阱区内形成第二P型掺杂区，所述第二P型掺杂区位于第二N型掺杂区和第二掺杂区之间。

13.如权利要求12所述可控硅静电保护器件的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区中掺杂的杂质离子的类型为N型。

14.如权利要求13所述的可控硅静电保护器件的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂区的深度小于N型阱区的深度，第二掺杂区中杂质离子的浓度大于N型阱区中杂质离子的浓度。