[发明专利]应对FLASH芯片异常掉电的读取方法有效
| 申请号： | 201310744401.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104751884B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;洪杰;王林凯 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应对 flash 芯片 异常 掉电 读取 方法 | ||
1.一种应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，其特征在于，包括：
读取FLASH芯片中掉电保护单元；所述掉电保护单元用于FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，记录FLASH芯片存储阵列中当前擦除区域的地址信息；
当所述掉电保护单元存储有地址信息时，读取所述地址信息；
当所述地址信息与预读取区域的地址信息相同时，对所述地址信息对应的存储阵列中区域进行读取修正；所述读取修正为调整读取时的读取电流；以及
读取修正后，对所述预读取区域进行读取；
其中，所述预读取区域是准备进行读取的存储单元所在的区域，所述读取修正为通过在位线、字线或电源线施加电压值，进而改变在读取时产生的读取电流。
2.如权利要求1所述的应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，其特征在于，还包括：
当所述掉电保护单元未存储地址信息时，对所述预读取区域进行读取。
3.如权利要求1所述的应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，其特征在于，还包括：
当所述地址信息与所述预读取区域信息不相同时，对所述预读取区域进行读取。
4.如权利要求1所述的应对FLASH芯片异常掉电的读取方法，其特征在于，所述对所述地址信息对应的存储阵列中区域进行读取修正，包括：
对所述地址信息对应的存储阵列区域的字线施加负电压。
5.如权利要求1所述的应对FLASH芯片异常掉电读取方法，其特征在于，所述地址信息为FLASH芯片存储阵列中存储块的地址；以及
所述地址信息对应的存储阵列中区域为存储阵列中一存储块。
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