[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310743914.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103915536B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李珍雄;金京完;金信亨;尹馀镇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李柱天;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件，包括：
基板，具有第一侧面以及与所述第一侧面相面对的第二侧面；
半导体层叠结构体，位于所述基板上，
其中，所述基板的底面与所述第一侧面成锐角并与所述第二侧面成钝角，所述第一侧面以及第二侧面分别包括连接于所述基板的上表面的第一倾斜面和连接于所述基板的底面的第二倾斜面，且相对于所述基板的底面而言，所述第一倾斜面具有比第二倾斜面更大的倾角。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一倾斜面包括：
划片面；
第一断裂面，连接划片面和所述第二倾斜面。
3.如权利要求2所述的发光器件，其中，所述划片面为激光划片面。
4.如权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二倾斜面为第二断裂面。
5.如权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一断裂面相对于第二断裂面更近于m面，所述第二断裂面相对于所述第一断裂面更近于r面。
6.如权利要求1所述的发光器件，其中，相对于所述基板的底面，所述第二倾斜面具有45°～70°的倾角。
7.如权利要求6所述的发光器件，其中，所述基板为单晶基板。
8.如权利要求7所述的发光器件，其中，所述单晶基板为蓝宝石基板。
9.如权利要求8所述的发光器件，其中，所述蓝宝石基板的厚度为80～120μm。
10.如权利要求6所述的发光器件，其中，所述第一侧面的第二倾斜面与所述第二侧面的第二倾斜面具有不同的倾角。
11.一种发光器件制造方法，包括如下步骤：
在晶圆主平面上形成划片槽；
将刀刃接触于所述晶圆背面并施加冲击，以使所述晶圆断裂而形成发光器件，
其中，所述发光器件包括：具有第一侧面以及与所述第一侧面相面对的第二侧面的基板；位于所述基板上的半导体层叠结构体，
而且，所述基板的底面与所述第一侧面成锐角并与所述第二侧面成钝角，所述第一侧面以及第二侧面分别包括连接于所述基板的上表面的第一倾斜面和连接于所述基板的底面的第二倾斜面，且相对于所述基板的底面而言，所述第一倾斜面具有比第二倾斜面更大的倾角。
12.如权利要求11所述的发光器件制造方法，其中，所述第一倾斜面包括：
划片面；
第一断裂面，连接所述划片面和所述第二倾斜面。
13.如权利要求11所述的发光器件制造方法，其中，相对于所述基板的底面，所述第二倾斜面具有45°～70°的倾角。
14.如权利要求11所述的发光器件制造方法，其中，所述第一倾斜面相对于第二倾斜面更近于m面，而所述第二倾斜面相对于所述第一倾斜面更近于r面。
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