[发明专利]一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B₂O₃、SiO₂和Al₂O₃，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。

2.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：所述玻璃材料的组成中还包含MgO。

3.如权利要求2所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：所述玻璃材料的组成中还包含碱金属氧化物。

4.如权利要求3所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：所述玻璃材料的组成配比如下：

上述各组成的质量百分比之和为100%。

5.如权利要求4所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：所述的碱金属氧化物选自Na₂O、K₂O和Li₂O中的至少一种。

6.一种制备权利要求1-5中任意一项所述的低温共烧陶瓷材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)按所述玻璃材料的组成进行配料，制得玻璃粉体；

b)将玻璃粉体与陶瓷粉体按比例混合均匀，然后湿法球磨成中位粒径＜2μm的粉体，干燥，研磨，制得低温共烧陶瓷粉体；

c)将所得低温共烧陶瓷粉体在850～900℃下进行烧结。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述玻璃粉体的制备包括如下操作：将组成所述玻璃材料的混合粉体加热到1300～1500℃至熔成玻璃液，然后将玻璃液倒入水中淬冷，再湿法球磨成中位粒径＜2μm，干燥，研磨，即得所述的玻璃粉体。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述烧结的时间为1～3小时。

9.权利要求1-5中任意一项所述的低温共烧陶瓷材料在贴片式元器件中的应用。