[发明专利]一种提拉法晶体生长炉在审
| 申请号： | 201310743129.7 | 申请日： | 2013-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103741208A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 方海生;金泽林;王森;赵超杰;张梦洁;张之 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提拉法 晶体生长 | ||
1.一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。
2.根据权利要求1所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述炉腔（5）的炉顶（7）和炉底（9）均设置有与所述炉腔（5）相通的孔，用于通入气流，以带走晶体生长过程中的气体杂质和实现对晶体的冷却。
3.根据权利要求1所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述炉腔内壁位于坩埚上部空间至炉腔顶部的所述圆台筒体结构，其最大长度可延伸至最大晶锭高度处。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述圆台筒体结构相对远离坩埚的端部面积小于相对接近坩埚端部的面积。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述炉腔（5）内在位于所述坩埚（2）下部设置有底盘隔热板（1），用于炉体底部的隔热。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述炉体外部覆盖有隔热材料（6），用于炉体的隔热。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，所述炉体外部设置有用于感应加热的线圈（8）。
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