[发明专利]一种有机发光器件、其制造方法及有机发光显示装置有效
申请号: | 201310743093.2 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103943786B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 谢再锋 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 器件 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光器件,其特征在于,包括:
衬底;
有机发光组件,所述有机发光组件设置在所述衬底上;
第一混合封装层,所述第一混合封装层设置在所述有机发光组件上并包覆所述有机发光组件;
第一阻隔层,所述第一阻隔层设置在所述第一混合封装层上并包覆所述第一混合封装层。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件还包括第二阻隔层,所述第二阻隔层设置在所述有机发光组件与所述第一混合封装层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件还包括第二混合封装层,所述第二混合封装层设置在所述有机发光组件与所述第二阻隔层之间。
4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一混合封装层和所述第二混合封装层均包括第一有机层,第一无机层以及第二有机层,其中,所述第一无机层设置于所述第一有机层和所述第二有机层之间。
5.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一有机层和所述第二有机层均包括六甲基二硅氧烷(HMDSO),四乙氧基硅烷(TEOS)和四甲基硅烷(TMS)中的任意一种或多种。
6.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一阻隔层、所述第二阻隔层和所述第一无机层均包括Al2O3、TiO2、ZrO、AlON、Ta2O5、ZnO、SiN和SiO2中的任意一种或多种。
7.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一无机层的折射率(RI)的范围处于1.450-1.480之间。
8.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一有机层和所述第二有机层的折射率(RI)的范围均处于1.420-1.450之间。
9.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一混合封装层或所述第二混合封装层的表面粗糙度(Ra)均处于0.200-56.00nm之间。
10.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一无机层的表面粗糙度(Ra)处于0.256-21.063nm之间,所述第一有机层和所述第二有机层的表面粗糙度(Ra)均处于0.256-55.036nm之间。
11.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光器件。
12.一种有机发光器件的制造方法,其特征在于,包括:
步骤S1,提供一衬底;
步骤S2,形成有机发光组件在所述衬底上;
步骤S3,形成第一混合封装层在所述有机发光组件上并包覆所述有机发光组件;
步骤S4,形成第一阻隔层在所述第一混合封装层上并包覆所述第一混合封装层。
13.根据权利要求12所述的有机发光器件的制造方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括以下步骤:
步骤S3a,形成第一有机层在所述有机发光组件上并包覆所述有机发光组件;
步骤S3b,形成第一无机层在所述第一有机层上并包覆所述第一有机层;
步骤S3c,形成第二有机层在所述第一无机层上并包覆所述第一无机层;或
步骤S3a,形成第二有机层在所述有机发光组件上并包覆所述有机发光组件;
步骤S3b,形成第一无机层在所述第二有机层上并包覆所述第一有机层;
步骤S3c,形成第一有机层在所述第一无机层上并包覆所述第一无机层。
14.根据权利要求12所述的有机发光器件的制造方法,其特征在于,还包括步骤S5,形成第二阻隔层在所述有机发光组件与所述第一混合封装层之间。
15.根据权利要求14所述的有机发光器件的制造方法,其特征在于,还包括步骤S6,形成第二混合封装层在所述有机发光组件与所述第二阻隔层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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