[发明专利]一种用于可编程芯片的查找表及查找表电路

权利要求书

1.一种用于可编程芯片的查找表，其特征在于：该查找表由一次性反熔丝配置存储器单元连接译码单元构成，所述反熔丝配置存储单元利用MOS管栅氧层击穿形成电阻连接的原理构成电路，使反熔丝配置存储单元编程为“0”后存储位置电位被永久下拉到地，编程为“1”后存储位置电位被永久上拉到电源，实现配置数据存储。

2.根据权利要求1所述的查找表，其特征在于:所述反熔丝配置存储单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4及MOS管M5，所述MOS管M1源极漏极互连分别连接所述MOS管M2栅极、MOS管M3源极、MOS管M4源极、MOS管M5源极，所述MOS管M1栅极、MOS管M3漏极分别为PL端，PL端编程时连接编程电压VPGM；所述MOS管M2源极漏极、MOS管M4漏极接位线BL，所述反熔丝配置存储单元被选中编程时接GND，未被选中时接位线保护电压；所述MOS管M3栅极为上字线WL_TOP,所述MOS管M4栅极为下字线WL_LOW，所述上字线、下字线用于根据地址和编程数据来控制所述反熔丝配置存储单元进行正确编程、且保证所述反熔丝配置存储单元能进入正常工作状态；所述MOS管M5漏极为存储数据输出端CFG_DATA，所述存储数据输出端在所述反熔丝配置存储单元编程后，存储数据输出端输出固定电位，配合多路选择器构建用户所要实现的逻辑函数；所述MOS管M5栅极为隔离控制端PRO_EN，所述隔离控制端编程时接低电平，正常工作时接高电平。

3.根据权利要求2所述的查找表，其特征在于:所述MOS管M3为P型金属氧化物场效应管。

4.根据权利要求3所述的查找表，其特征在于: 所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4、MOS管M5均为N型金属氧化物场效应管。

5.根据权利要求4所述的查找表，其特征在于:所述反熔丝配置存储单元存储要实现逻辑函数的真值表，配置数据是在编程阶段按照编程时序依次写入反熔丝配置存储单元的，写入到反熔丝配置存储单元的值根据要实现的逻辑函数确定。

6.一种用于可编程芯片的查找表电路，其特征在于:该查找表电路由一次性反熔丝配置存储器、传输门和反相器电路构成，所述一次性反熔丝配置存储器采用基于标准CMOS工艺的栅氧击穿型反熔丝配置存储单元，所述传输门与所述反相器共同构成多路选择器功能电路，在输入端为查找表输入地址码，输出端为查找表将输入数据经逻辑运算的值输出。

7.根据权利要求6所述的查找表电路，其特征在于: 所述查找表电路输出通道根据用户所要实现的逻辑函数输入数量，运用逻辑函数运算通道形成与输入端相对应的逻辑运算输出通道，并可同时实现一路或多路不同的用户逻辑函数。

8.根据权利要求6或7所述的查找表电路，其特征在于:所述反熔丝配置存储单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4及MOS管M5，所述MOS管M1源极漏极互连分别连接所述MOS管M2栅极、MOS管M3源极、MOS管M4源极、MOS管M5源极，所述MOS管M1栅极、MOS管M3漏极合并为PL端，所述MOS管M2栅极、MOS管M4漏极合并为位线BL，所述MOS管M3栅极为上字线WL_TOP, 所述MOS管M4栅极为下字线WL_LOW，所述MOS管M5漏极为存储数据输出端CFG_DATA，所述MOS管M5栅极为隔离控制端PRO_EN。

9.根据权利要求8所述的查找表电路，其特征在于: 所述MOS管M3为P型金属氧化物场效应管；所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4、MOS管M5均为N型金属氧化物场效应管。

10.根据权利要求9所述的查找表电路，其特征在于: 所述反熔丝配置存储单元只能一次性编程，完成整个查找表存储阵列的数据编程后，每一个所述反熔丝配置单元都固定提供一个输出。