[发明专利]一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料及其制备方法

权利要求书

1.一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料，其特征在于：外层是功能性聚合物材料聚吡咯，内层是结晶性半导体材料硫化镉，直径为200nm—300nm。

2.一种聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、将多孔氧化铝模板（AAO）浸泡在氧化剂溶液中，实现氧化剂分子在多孔氧化铝模板（AAO）模板孔道内的分散；

步骤2、配制吡咯单体溶液和氧化剂溶液，两者与多孔氧化铝模板（AAO）反应5—50min,得到沉积在多孔氧化铝模板（AAO）的聚吡咯纳米管；吡咯单体溶液与氧化剂溶液之间摩尔比为1—5:1—5；

步骤3、将步骤2中的多孔氧化铝模板（AAO）放于去离子水中浸泡，去除多孔氧化铝模板（AAO）孔道内残留的吡咯单体和氧化剂分子；

步骤4、配制镉盐溶液和硫盐溶液，两者与多孔氧化铝模板（AAO）反应2—6h,得到沉积在多孔氧化铝模板（AAO）模板孔道内的聚吡咯/硫化镉同轴纳米管材料；镉盐溶液与硫盐溶液的摩尔比为1—10:10—50。

3.根据权利要求2所述聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料的制备方法，其特征在于：步骤2和步骤4中运用的是电化学沉积反应。

4.根据权利要求2所述聚吡咯/硫化镉同轴纳米管状材料的制备方法，其特征在于：步骤4中电化学沉积反应在50℃—90℃的温度下进行。