[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201310741835.8 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103715229A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
柔性显示装置与普通的刚性显示器相比,柔性显示器具有诸多优点:耐冲击,抗震能力更强;重量轻、体积小;携带更加方便;采用类似于报纸印刷工艺的卷带式工艺,成本更加低廉等。目前主要的柔性显示装置主要包括:柔性OLED显示器和柔性液晶显示器等。
对于柔性OLED显示器和柔性液晶显示器,在弯曲时,像素电极(OLED显示器中的阳极)对应区域容易发生断裂。这种断裂可能导致部分像素电极(断裂后未与漏极连接的部分)无法正常加电,从而导致显示不良。
以2T1C的OLED显示器为例,如图1所示,示出了该显示器阵列基板上的一个像素单元。若该显示器在弯曲时,像素电极110可能沿虚线处断裂,导致显示不良。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何减小在柔性显示装置弯曲时导致像素电极断裂的几率,使柔性显示装置能够正常显示。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板,包括:栅线、数据线及由栅线和数据线交叉定义的若干像素单元,每个所述像素单元包括像素电极,所述像素电极上形成有防断裂结构。
其中,所述防断裂结构包括:像素电极上部分区域的像素电极凹陷结构。
其中,所述防断裂结构包括:像素电极上若干不交叠的部分区域的像素电极凹陷结构形成的阵列。
其中,所述像素电极凹陷结构的形状、大小均相同。
其中,所述像素电极凹陷结构包括:矩形凹陷、圆形凹陷、椭圆形凹陷至少之一。
其中,所述像素电极凹陷结构的深度大于像素电极的厚度,小于像素电极凹陷侧的绝缘层厚度之和。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的阵列基板。
(三)有益效果
本发明通过在像素电极形成防断裂结构,在柔性显示装置弯曲时防断裂结构使像素电极受力分散,从而减小了在柔性显示装置弯曲时导致像素电极断裂的几率,保证了柔性显示装置能够正常显示。
附图说明
图1是现有技术的一种阵列基板的示意图(只示出了一个像素结构)。
图2a是本发明实施例的一种阵列基板的示意图;
图2b是图2a沿A-A的截面示意图;
图3是本发明实施例的另一种阵列基板的示意图;
图4是本发明实施例的又一种阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本实施例的阵列基板包括:栅线、数据线及由栅线和数据线交叉定义的若干像素单元,每个所述像素单元包括像素电极。为了减小了在柔性显示装置弯曲时导致像素电极断裂的几率,每个所述像素单元包括像素电极,所述像素电极上形成有防断裂结构。
防断裂结构可以包括像素电极上部分区域的像素电极凹陷结构,即像素电极并不在同一个平面内。
如图2a和2b所示,阵列基板沿图2a中A-A处的截面结构由下至上依次包括:衬底基板210、栅绝缘层220、数据线231及电源线232、钝化层240、树脂层250、像素电极270和像素定义层280。像素电极270上的一部分区域形成有一个圆形的像素电极凹陷271。由于像素电极凹陷271中的像素电极270在面板完全过程中几乎不受力,不存在被折断的问题,所以弯曲时,像素电极270断裂的几率大大减小。
当然,像素电极凹陷的结构还可以是其它形状,如:矩形或椭圆形。如图3所示的长条形的矩形凹陷,两个长条形的矩形凹陷形成“×”。
进一步地,防断裂结构还可以包括像素电极上若干不交叠的部分区域的像素电极凹陷结构形成的阵列。优选地,像素电极凹陷结构形成的阵列中每个像素电极凹陷结构的形状、大小均相同。如图4所示,示出了由圆形像素电极凹陷形成的阵列,每个圆形像素电极凹陷大小相同,这样使得未凹陷部分的像素电极受力均匀,断裂几率进一步减小。
像素电极凹陷的深度可以小于、大于或等于像素电极的厚度。当小于像素电极厚度时,在弯曲过程中,像素电极受力仍然很大,因此,优选地,使得像素电极凹陷结构的深度大于像素电极的厚度,小于像素电极凹陷侧的绝缘层厚度之和。如图2所示,像素电极凹陷271的深度d正好为树脂层250的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310741835.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种轨道车运行控制信息管理系统
- 下一篇:一种高可靠性的入侵防御通信系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的