[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310741375.9 | 申请日: | 2013-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN103700674B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 齐永莲;舒适;赵明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点;因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
发明人在实现OLED的阵列基板过程中发现,为了防止在彩膜上形成OLED电极时断线和不良,惯常技术需要在OLED的电极与彩膜之间设置平坦保护层,但这种结构比较复杂提高了阵列基板的制备难度,降低了阵列基板的生产良品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,能够有效保证生产安全和生产效率。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明的第一方面提供了一种阵列基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的薄膜晶体管单元、彩膜和平坦保护层,所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接,其中,所述平坦保护层导电。
所述的阵列基板还包括:位于所述薄膜晶体管单元和所述平坦保护层之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
所述的阵列基板还包括::位于所述平坦保护层之上的有机层和导电层,所述平坦保护层与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
所述彩膜位于所述平坦保护层和所述薄膜晶体管单元之间。
所述平坦保护层之上形成有第二绝缘层,所述第二绝缘层设置有开口,所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
所述阵列基板还包括与所述平坦保护层配合的公共电极,以及位于所述平坦保护层和所述公共电极之间的第三绝缘层。
所述平坦保护层的材质为透明导电树脂。
在本发明实施例中,平坦保护层可导电,由于平坦保护层与薄膜晶体管单元的漏极电连接,使得平坦保护层可以充当阵列基板的像素电极,且为导电材料的平坦保护层无需经过溅射工艺,采用涂覆、沉积等其他工艺即可形成,能够有效保证生产安全和生产效率。
本发明的第二方面提供了一种显示装置,其特征在于,包括上述的阵列基板。
本发明的第三方面提供了一种阵列基板的制备方法,包括:
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层。
所述形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层。包括:
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形;
在所形成的薄膜晶体管单元的上方形成彩膜;
在所述彩膜的上方形成导电的平坦保护层,所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
所述阵列基板的制备方法还包括:
在所形成的薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,以使得所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述漏极电连接;或,
在所述平坦保护层之上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,以使得所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述漏极电连接。
所述阵列基板的制备方法还包括:
在所形成的平坦保护层的上方形成有机层,在所述有机层的上方形成导电层,以使得所述平坦保护层和所述有机层电连接、与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
在所形成的平坦保护层的上方形成有机层,在所述有机层的上方形成导电层,以使得所述平坦保护层和所述有机层电连接、与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光之前,还包括:
在所述平坦保护层之上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层设置有开口,以使得所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图一;
图2为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图二;
图3为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图三;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





