[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的技术。

背景技术

一直以来，在半导体基板（以下仅称为“基板”。）的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻等结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂的处理。

在日本特开2009-200365号公报（文献1）的基板处理装置中，在利用SPM（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸双氧水混合溶液）液等药液进行处理之前，向基板上的处理区域供给电导率比药液的电导率低的液体，并在该液体存在于处理区域上的状态下，向处理区域喷出药液。由此，能够实现防止因基板的药液的接触而产生的基板的局部损伤。基板的局部损伤是指，处理区域的场氧化膜和场氧化膜的局部破坏，该破坏是因药液和药液用喷嘴之间的摩擦带电现象，药液在带电的状态下与基板的处理区域相接触而产生的。

在日本特开2007-134673号公报（文献2）中公开了如下技术，即，在向晶片上的处理区域供给浓硫酸等药液之前，向处理区域供给电阻率值比药液的电阻率值低的CO₂水等液体，并在该液体存在于处理区域上的状态，向处理区域喷出药液。由此，能够实现防止因药液与处理区域接触时产生的静电摩擦现象引起的带电。

在日本特开2007-214347号公报（文献3）中，公开了如下技术，即，在电子器件的清洗装置中，通过向基板的表面或药液喷嘴供给被离子化的蒸气，来除去在基板的表面或药液喷嘴存在的静电。在日本特开2011-103438号公报（文献4）的基板液处理装置中，在对基板的电路形成面进行药液处理工序之前，进行向与基板的电路形成面相反的面喷出除静电处理液的除静电处理工序。

另一方面，在日本特开2004-158588号公报（文献5）中，公开了通过向基板的表面供给除去液来除去在基板的表面上附着的有机物的基板处理装置。在该基板处理装置中，设置有对基板的温度进行调整的温度调整单元，使得基板的温度与向基板上供给的除去液的温度之差处在规定的范围内。作为温度调整单元的一个例子，能够举出向由保持旋转单元保持的基板的背面供给温度被调整的流体的流体供给单元。

但是，在由基板处理装置处理的基板被搬入基板处理装置之前，对该基板进行干蚀刻或等离子体CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）等干式工序（drying process）。在这样的干式工序中，由于在器件内产生电荷而带电，所以基板在带电的状态被搬入基板处理装置。并且，在基板处理装置中，当向基板上供给如SPM液那样的电阻率小的药液时，器件内的电荷从器件向药液快速移动（即向药液中放电），因由该移动引起的发热，有可能对器件造成损伤。因此，考虑在向基板供给药液之前，通过离子发生器对基板进行除静电处理，但是，在基板的带电量大的情况下，难以有效地进行除静电处理。

发明内容

本发明面向对基板进行处理的基板处理装置，其目的在于防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动而使基板发生损伤。

本发明的基板处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其向第一主面上供给处理液，该第一主面为所述基板的一个主面；除静电液接触部，其使所述基板的所述第一主面以及第二主面与随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液相接触，该第二主面为所述基板的另一个主面；温度调整部，其对所述除静电液的温度进行调整；控制部，其对所述处理液供给部、所述除静电液接触部以及所述温度调整部进行控制，由此，使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内，并且使所述基板的整个所述第一主面以及整个所述第二主面与所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述基板上的电荷减少，然后将所述处理液向所述基板的所述第一主面上供给来进行规定的处理。由此，能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动导致基板损伤。

在本发明的一个优选的实施方式中，与所述第一主面相接触的所述除静电液和与所述第二主面相接触的所述除静电液在所述基板上连续。

更优选，所述除静电液接触部具有用于贮存所述除静电液的除静电液贮存部，通过将所述基板浸渍于在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中，所述第一主面以及所述第二主面与所述除静电液相接触。还优选，在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中浸渍多张基板，所述多张基板包含所述基板，并且所述多张基板以各自的主面的法线方向朝向水平方向的方式排列。