[发明专利]基于RRAM的可调幅脉冲产生电路及调节其脉冲幅度的方法

权利要求书

1.一种基于RRAM的可调幅脉冲产生电路，包括顺序连接的一个积分器和一个微分器，其特征在于，所述积分器中的输入电阻为一个带有阻值调节电路的第一RRAM，所述微分器中的反馈电阻为一个带有阻值调节电路的第二RRAM。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阻值调节电路包括：置位电压源、复位电压源、RRAM和三个金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET；

所述置位电压源连接第一MOSFET形成第一支路，所述复位电压源连接第二MOSFET形成第二支路，将所述第一支路和第二支路并联后与所述RRAM的第一端连接，所述RRAM的第二端与第三MOSFET连接后接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一MOSFET连接第一控制电压源；第二MOSFET连接第二控制电压源；第三MOSFET连接第三控制电压源。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述MOSFET为N型MOSFET。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述MOSFET为P型MOSFET。

6.一种调节权利要求1-5中任一权利要求所述的电路产生的脉冲幅度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

改变所述调节电路的第一控制电压源、第二控制电压源和/或第三控制电压源的电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述改变所述调节电路的第一控制电压源、第二控制电压源和/或第三控制电压源的电压，包括将第一控制电压源、第二控制电压源和/或第三控制电压源的电压设置为高电平或低电平。