[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，且所述有源层、所述源极和所述漏极位于同一层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，具体包括：

在基板上形成一层半导体薄膜，并在所述半导体薄膜上形成光刻胶；

采用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的半导体有源层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述源极和所述漏极的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分对应的所述半导体薄膜；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

对所述半导体薄膜进行金属化处理，使露出的所述半导体薄膜转化为具有导体特性的薄膜，形成所述源极和所述漏极；对应所述光刻胶完全保留部分的所述半导体薄膜未受金属化处理影响，形成所述半导体有源层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述半导体薄膜进行金属化处理的方法，具体包括；

将具有露出的所述半导体薄膜的基板置于还原性气氛中在200～400℃进行热处理；或，

将具有露出的所述半导体薄膜的基板置于真空腔室中，采用氢气等离子体或氧气等离子体处理，其中，所述真空腔室内的压力为1000～2000mtorr，气体流量为5000～15000sccm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述进行金属化处理的半导体薄膜为金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述呈半导体特性的透明金属氧化物材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、非晶态铟锡锌氧化物、铝锌氧化物中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有所述有源层、所述源极和所述漏极的基板上，通过一次构图工艺形成位于所述有源层、所述源极和所述漏极上方的栅绝缘层和栅极。

7.一种阵列基板的制备方法，包括薄膜晶体管和像素电极的制备，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法为权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过一次构图工艺在基板上形成位于同一层的有源层、源极和漏极的同时，还形成与所述漏极电连接且同层的像素电极；

其中，所述漏极与所述像素电极为一体结构且具有相同的材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过一次构图工艺在基板上形成位于同一层的所述有源层、所述源极和所述漏极、以及与所述漏极电连接的像素电极，具体包括；

在基板上形成一层半导体薄膜，并在所述半导体薄膜上形成光刻胶；

采用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的半导体有源层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述源极和漏极、以及与所述漏极电连接的所述像素电极的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分对应的所述半导体薄膜；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

对所述半导体薄膜进行金属化处理，使露出的所述半导体薄膜转化为具有导体特性的薄膜，形成所述源极和所述漏极、以及与所述漏极电连接的像素电极；对应所述光刻胶完全保留部分的所述半导体薄膜未受金属化处理影响，形成所述半导体有源层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过一次构图工艺在基板上形成公共电极。

11.一种薄膜晶体管，包括有源层、以及位于所述有源层两侧的源极和漏极；其特征在于，

所述有源层、所述源极和所述漏极同层设置。