[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）显示技术的不断发展，各种新型半导体元件及其在显示装置中的应用技术也随之得到了飞跃性的进步。

在现有的显示面板TFT的制造过程当中，为了进一步提高显示面板的开口率，通常采用透明的金属氧化物材料（如氧化铟锡ITO）来制作TFT的源漏极以及数据线，这样一种阵列基板沿数据线方向的截面结构可以如图1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的栅极11以及栅绝缘层12，数据线13形成在栅绝缘层12的表面，该数据线13采用ITO材料制成，数据线13的表面依次形成有刻蚀阻挡层14以及透明电极15。

与传统的阵列基板相比，这样一种结构的阵列基板制作简单且具有更高的开口率。但其不足之处在于，在如图1所示的阵列基板中，数据线13与透明电极15之间具有较长的一段交叠区域，这样一来，在通电的情况下，由于层级差异，数据线14与透明电极15之间将产生寄生电容Cdc，在数据线14输入驱动信号的瞬间，由于寄生电容的存在，数据线14上电压信号由高到低的变化会使得透明电极15相应发生电压变化，从而引起像素中液晶电压的突然降低，使得显示画面闪烁，数据线延时以及功耗也将随之增加。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以降低数据线与透明电极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：横纵交叉设置的多条栅线和数据线，所述数据线的表面依次形成有刻蚀阻挡层以及第一透明电极；所述数据线的远离所述栅线的部分与所述栅线同层形成在透明基板的表面，所述数据线在所述栅线区域断开；

所述栅线区域具有源漏金属层的图案，所述源漏金属层的图案与所述栅线绝缘，位于所述栅线两侧的所述数据线通过所述源漏金属层的图案电连接。

另一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置可以包括如上所述的阵列基板。

此外，本发明实施例还提供了一种阵列基板制造方法，所述方法具体包括：

在透明基板的表面形成栅线和数据线，所述数据线在所述栅线区域断开，所述数据线的远离所述栅线的部分与所述栅线同层制成；

在形成有所述栅线和所述数据线的基板上对应所述栅线区域形成源漏金属层的图案，所述源漏金属层的图案与所述栅线绝缘，位于所述栅线两侧的所述数据线通过所述源漏金属层的图案电连接。

本发明实施例提供的这样一种阵列基板及其制造方法、显示装置，通过将数据线与栅线同层制作，且数据线在栅线区域断开，采用设置于栅线区域的源漏金属层的图案将断开的数据线电连接，这样一来，与现有技术相比，在保证了栅线和数据线质量的基础上可以显著增加数据线与透明电极之间的间距，这样由于平行板电容两电极之间的间距增大，使得电容值明显降低，从而可以有效降低数据线与透明电极之间的寄生电容Cdc，进而避免由于寄生电容过大而产生的输出跳变电压不良，有效改善显示画面闪烁，降低数据线延时以及功耗，提高显示装置的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程示意图；

图5为本发明实施例提供的另一阵列基板制造方法的流程示意图；

图6为形成绝缘层图案后的基板结构局部俯视图及其A-A向剖视图；

图7为形成栅线、数据线以及TFT的栅极后的基板结构局部俯视图及其B-B向剖视图；

图8为形成绝缘材料层后的结构示意图；

图9为形成第一绝缘层的图案后的基板结构示意图；

图10为形成栅绝缘层后的基板结构示意图；

图11为形成半导体有源层后的基板结构局部俯视图及其C-C向剖视图；

图12为形成刻蚀阻挡层后的基板结构示意图；