[发明专利]去除光罩上粘性污染颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，尤其涉及一种去除光罩上粘性污染颗粒的方法。

背景技术

在半导体器件的制程中，有一个步骤为光刻。光刻的本质就是将电路结构复制到以后要进行刻蚀步骤及离子注入步骤的晶圆薄膜上。电路结构首先以图形形式制作在名为掩膜的石英膜版上，紫外光通过该掩膜将图形转移到晶圆的光刻胶层上，进行显影后，用后续的刻蚀步骤将图形成像在晶圆薄膜上。在掩膜上制作光罩图形，包括两种，一种为二元光罩（BIM，Binary Mask），一种为相移光罩（PSM，Phase-Shifting Mask）。

以二元光罩为例，现有技术BIM结构示意图如图1所示。

首先，在透光的石英膜版101上沉积金属铬（Cr）层102；

然后，在金属铬层102的表面沉积铬氧化层103；

最后，图案化金属铬层102和铬氧化层103，得到BIM。其中，图案化金属铬层102和铬氧化层103的过程为：采用曝光方法将图形转移到覆盖铬氧化层103的光阻胶层上，然后根据图案化的光阻胶层，依次刻蚀铬氧化层103和金属铬层102形成光罩图形。

在形成光罩图形后，通过光罩检测机台检测时，往往会发现光罩表面附着一些具有粘性的污染颗粒，通过湿法清洗也无法去除，这样就会严重影响光罩的图形转移能力，降低晶圆产品的合格率。

发明内容

本发明提供了一种去除光罩上粘性污染颗粒的方法，本发明解决的技术问题是：去除光罩上粘性污染颗粒。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案具体是这样实现的：

本发明提供了一种去除光罩上粘性污染颗粒的方法，该方法包括：

对所形成的光罩图形进行检测，当发现有粘性污染颗粒时，在光罩表面涂布光阻胶层，并对所述光阻胶层进行曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层覆盖光罩上的铬层；

采用包括氧气和氯气的等离子体刻蚀方法，去除光罩上的粘性污染颗粒。

采用所述等离子体刻蚀方法去除光罩上的粘性污染颗粒的时间为50-600秒。

采用所述等离子体刻蚀方法去除光罩上的粘性污染颗粒时，刻蚀反应腔内压力为2-15毫托。

光罩区域包括芯片区域和切割道区域，当所述光罩为相移光罩时，切割道区域表面为铬层，所述图案化的光阻胶层显露出芯片区域，覆盖切割道区域。

光罩区域包括芯片区域和切割道区域，当所述光罩为二元光罩时，切割道区域表面为铬层，芯片区域为图案化的铬层，所述图案化的光阻胶层与芯片区域和切割道区域表面的铬层重合。

由上述的技术方案可见，本发明对所形成的光罩图形进行检测，当发现有粘性污染颗粒时，涂布光阻胶层，并对所述光阻胶层进行曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层覆盖光罩上的铬层；采用包括氧气和氯气的等离子体刻蚀方法，去除光罩上的粘性污染颗粒。本发明在不破坏光罩图形的基础上，采用干法刻蚀方法有效去除粘性污染颗粒，大大提高了光罩的图形转移能力，从而提高了晶圆产品的合格率。

附图说明

图1为现有技术BIM结构示意图。

图2为本发明第一实施例去除相移光罩上粘性污染颗粒的方法的流程示意图。

图2a至图2g为图2方法的具体结构示意图。

图3为本发明第二实施例去除二元光罩上粘性污染颗粒的方法的流程示意图。

图3a至图3e为图3方法的具体结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明进一步详细说明。

本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，表示结构的示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本发明的方法适用于各种光罩上的粘性污染颗粒去除，本发明以相移光罩和二元光罩为例分别进行说明。

本发明第一实施例去除相移光罩上粘性污染颗粒的方法的流程示意图如图2所示，其包括以下步骤，下面参照图2a至图2g进行详细说明。

步骤21、请参阅图2a，在石英膜版201上依次形成钼硅化合物202、金属铬层203和铬氧化层204；

步骤22、请参阅图2b和图2b’，图2b为剖面图，图2b’为俯视图。在铬氧化层204表面涂布第一光阻胶层，对第一光阻胶层进行曝光显影，形成图案化的第一光阻胶层205，定义芯片区域的光罩图形；