[发明专利]多层磁屏蔽体

权利要求书

1.一种装置，包括：

磁屏蔽体，其包含第一层和第二层，其中所述第一层包含具有第一磁导率的材料，并且所述第二层包含具有第二磁导率的材料，其中所述第一磁导率与所述第二磁导率不同，并且所述磁屏蔽体被配置为减少电子设备中的至少一个内部组件到磁场的暴露。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层和所述第二层中的至少一个的厚度在所述磁屏蔽体的长度上是非均匀的。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一磁导率大约为130，并且所述第二磁导率大约为10000。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一磁导率大约为130，并且所述第二磁导率大约为500。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层的厚度大约为200微米。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层的厚度大约为80微米。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层的厚度大约为70微米。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层的厚度与所述第二层的厚度不同。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层由铁氧体材料组成。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层近似由Fe₇₃Cu₁Nb₃Si₁₆B₇组成。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述磁屏蔽体包含第三层。

12.一种方法，包括：

创建具有第一磁导率和第一厚度的第一层；

创建具有第二磁导率和第二厚度的第二层；以及

通过将所述第一层粘附到所述第二层来创建磁屏蔽体。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述磁屏蔽体的长度上变化所述第一厚度。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述磁屏蔽体长度上变化所述第二厚度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一磁导率与所述第二磁导率不同。

16.根据权利要求12所述的方法，还包括将所述层中的一个或多个形成为不规则的几何形状。

17.一种设备，包括：

至少一个内部组件；以及

磁屏蔽体，其包含第一层和第二层，其中所述第一层由具有第一磁导率的材料组成，并且所述第二层由具有第二磁导率的材料组成，其中所述第一磁导率与所述第二磁导率不同，并且所述磁屏蔽体被配置为在充电期间保护所述至少一个内部组件免受磁场。

18.根据权利要求17所述的设备，还包括接收线圈，其被配置为接收所述磁场以对电池进行充电。

19.根据权利要求17所述的设备，其中所述磁屏蔽体包含第三层。

20.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一层和所述第二层中的至少一个的厚度在所述磁屏蔽体的长度上是不均匀的。