[发明专利]一种基于工艺偏差的芯片密钥产生方法及其电路

权利要求书

1.一种基于工艺偏差的芯片密钥生成方法，其特征在于,包括设于芯片内的密钥生成阵列，所述密钥生成阵列包括m行×n列个密钥生成单元，其中m、n为大于2的整数；所述密钥生成单元包括两个电阻，以及分别与该两个电阻连接的电阻阻值检测电路；所述两个电阻的类型相同，且由相同的生产工艺制造；该方法包括以下步骤:

步骤一、将芯片上电，向密钥生成单元输入激励信号；

步骤二、电阻阻值检测电路检测并比较两个电阻的阻值大小，每个密钥生成单元根据比较的结果输出1位密钥值；

步骤三、读取密钥生成阵列中的若干行或若干列密钥值，输出生成芯片密钥。

2.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：所述步骤二中的密钥值存储在各密钥生成单元中，当芯片掉电或芯片发出删除指令，则密钥值去除。

3.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：所述步骤三中，读取所有行或所有列的密钥值。

4.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：所述激励信号为芯片电源的上电信号、复位信号或芯片发出的使能信号。

5.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：N=m×n，N为128的整数倍。

6.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：所述两个电阻为热电阻、多晶硅电阻或阱电阻。

7.根据权利要求1所述的芯片密钥生成方法，其特征在于：重复步骤一至三，每次重复步骤三时，读取与上一次相同行和列的密钥值；或，读取与上一次不相同行和列的密钥值。

8.一种基于工艺偏差的芯片密钥生成电路，其特征在于：包括密钥生成阵列、密钥读出电路和地址译码电路，所述密钥生成阵列包括m行×n列个密钥生成单元，其中m、n为大于2的整数；所述密钥生成单元包括两个电阻，以及分别与该两个电阻连接的电阻阻值检测电路；所述两个电阻的类型相同，且由相同的生产工艺制造；

所述密钥生成阵列用于产生和存储密钥数据；

所述密钥读出电路用于读取密钥生成阵列中存储的密钥数据；

所述地址译码电路用于对密钥生成阵列进行寻址，使密钥读出电路读出密钥生成阵列指定地址上存储的密钥数据。

9.根据权利要求8所述的芯片密钥生成电路，其特征在于：所述电阻阻值检测电路检测并比较两个电阻阻值的相对大小，若第一电阻比第二电阻大，则输出密钥1，若第一电阻比第二电阻小，则输出密钥0；或者，若第一电阻比第二电阻大，则输出密钥0，若第一电阻比第二电阻小，则输出密钥1。

10.根据权利要求8所述的芯片密钥生成电路，其特征在于：不同密钥生成单元的电阻类型相同或不同。