[发明专利]一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法

权利要求书

1.一种InGaN基多量子阱结构，其特征在于，其结构沿生长方向依次为：第一GaN垒层、第一In组分渐增量子阱层、第一Si掺杂的GaN垒层、第二In组分渐增量子阱层、第二Si掺杂的GaN垒层、第三In组分渐增量子阱层、第三Si掺杂的GaN垒层、第一固定In组分的量子阱层、第一In组分递减垒层、第二GaN垒层、第二固定In组分的量子阱层、第二In组分递减垒层、第三GaN垒层、第三固定In组分的量子阱层、第三In组分递减垒层、第四GaN垒层；

所述第一、第二、第三In组分渐增量子阱层分别为In_xGa_1-xN量子阱层、In_yGa_1-yN量子阱层、In_zGa_1-zN量子阱层，其中x、y、z沿生长方向呈连续性增加；

所述第一、第二、第三In组分递减垒层分别为In_wGa_1-wN垒层、In_mGa_1-mN垒层、In_nGa_1-nN垒层；其中w、m、n分别沿生长方向逐渐减小；

所述第一、第二、第三固定In组分的量子阱层为In_vGa_1-vN量子阱层，v沿生长方向固定不变。

2.根据权利要求1所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一、第二、第三In组分渐增量子阱层分别为In_xGa_1-xN量子阱层、In_yGa_1-yN量子阱层、In_zGa_1-zN量子阱层，其中x、y、z沿生长方向逐渐增加的幅度为0.03-0.07；

所述第一、第二、第三In组分递减垒层分别为In_wGa_1-wN垒层、In_mGa_1-mN垒层、In_nGa_1-nN垒层；其中w、m、n沿生长方向逐渐减少的幅度为0.03-0.2。

3.根据权利要求1或2所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一GaN垒层、第二GaN垒层、第三GaN垒层、第四GaN垒层的厚度均为10-20nm。

4.根据权利要求1-3任一所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一In组分渐增量子阱层、所述第二In组分渐增量子阱层与所述第三In组分渐增量子阱层的厚度比为1:1:1。

5.根据权利要求1-4任一所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一Si掺杂的GaN垒层、第二Si掺杂的GaN垒层、第三Si掺杂的GaN垒层的厚度比为1:1:1。

6.根据权利要求1-5任一所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一固定In组分的量子阱层、第二固定In组分的量子阱层、第三固定In组分的量子阱层的厚度比为1:1:1；所述第一固定In组分的量子阱层、第二固定In组分的量子阱层、第三固定In组分的量子阱层均为In_vGa_1-vN量子阱层，其中v取值为0.1-0.2。

7.根据权利要求1-6任一所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一In组分递减垒层、第二In组分递减垒层、第三In组分递减垒层的厚度比为1:1:1。

8.根据权利要求1-7任一所述的InGaN基多量子阱结构，其特征在于，所述第一GaN垒层、第一In组分渐增InGaN量子阱层、第一Si掺杂的GaN垒层、第一固定In组分的InGaN量子阱层、第一In组分递减InGaN垒层的厚度比为3:1:3:1:1-5:1:5:1:1。