[发明专利]一种OLED器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310734417.6 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752612B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 祝晓钊 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 马廷昭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，其包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。
2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述导电膜为非金属导电膜或金属导电膜。
3.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。
4.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。
5.一种OLED器件制造方法，其特征在于，该方法包括：
（1）在基板上方镀上阳极；
（2）在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层，在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜；
（3）在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层；
（4）在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极。
6.如权利要求5所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述步骤（2）具体包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层，在该隔离柱层上方沉积一层导电膜；
对导电膜进行刻蚀，形成导电网格或者导电条纹，之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状，刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方。
7.如权利要求5所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述步骤（2）具体包括：
在所述阳极上沉积一层隔离柱层；
将隔离柱层刻蚀成网格形状；
在网格形状的隔离柱层上沉积一层导电膜；
将导电膜刻蚀成网格形状或者条纹形状，网格形状或者条纹形状的导电膜覆盖在刻蚀后的隔离柱层上。
8.如权利要求5、6、7任意一项所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述导电膜为金属导电膜或非金属导电膜。
9.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。
10.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、 钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310734417.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光器件及其制备方法
- 下一篇：发光二极管封装结构及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
