[发明专利]光检测元件

权利要求书

1.一种光检测元件，所述光检测元件包括：

基板；

缓冲层，形成于所述基板上；

第一带隙变化层，形成于所述缓冲层上的部分区域；

光吸收层，形成于所述第一带隙变化层上；

肖特基层，形成于所述光吸收层上的部分区域；以及

第一电极层，形成于所述肖特基层上的部分区域。

2.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述光检测元件还包括形成于所述光吸收层上的顶层，并且所述肖特基层形成于所述顶层上的部分区域。

3.根据权利要求2所述的光检测元件，其特征在于，所述光检测元件还包括肖特基固定层，形成于所述肖特基层上，并沿着所述肖特基层的边缘覆盖所述肖特基层的一部分。

4.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述光检测元件还包括第二电极层，与所述第一带隙变化层相隔而形成于所述缓冲层上，并与所述缓冲层欧姆接合。

5.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板、SiC基板、GaN基板、AlN基板、Si基板中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述缓冲层包括：形成于基板上的低温GaN层和形成于所述低温GaN层上的高温GaN层。

7.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述第一带隙变化层由Al含量互不相同的多个AlGaN层层积而构成。

8.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述第一带隙变化层由Al含量互不相同的多个AlGaN层和GaN层交替层积而构成。

9.根据权利要求7或8所述的光检测元件，其特征在于，所述光吸收层的能带隙高于所述缓冲层的能带隙，并且所述第一带隙变化层的Al含量随着接近上层而增加。

10.根据权利要求9所述的光检测元件，其特征在于，所述光吸收层由Al_xGa_1-xN（0<x<0.7）层构成。

11.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述第一带隙变化层由In含量互不相同的多个InGaN层层积而构成。

12.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，所述第一带隙变化层由In含量互不相同的多个InGaN层和GaN层交替层积而构成。

13.根据权利要求11或12所述的光检测元件，其特征在于，所述光吸收层的能带隙低于所述缓冲层的能带隙，并且所述第一带隙变化层的In含量随着接近上层而增加。

14.根据权利要求13所述的光检测元件，其特征在于，所述光吸收层由In_yGa_1-yN（0<y<0.5）层构成。

15.根据权利要求2所述的光检测元件，其特征在于，所述光检测元件还包括第二带隙变化层，形成于所述光吸收层和所述顶层之间。

16.根据权利要求15所述的光检测元件，其特征在于，所述第二带隙变化层由Al含量互不相同的多个AlGaN层层积而构成。

17.根据权利要求15所述的光检测元件，其特征在于，所述第二带隙变化层由Al含量互不相同的多个AlGaN层和GaN层交替层积而构成。

18.根据权利要求16或17所述的光检测元件，其特征在于，所述顶层的能带隙低于所述光吸收层的能带隙，并且所述第二带隙变化层的Al含量随着接近上层而减少。

19.根据权利要求18所述的光检测元件，其特征在于，所述顶层由掺杂有Mg的p-In_zGa_1-zN（0<z<1）层构成，并且所述光吸收层由Al_xGa_1-xN（0<x<0.7）层构成。

20.根据权利要求15所述的光检测元件，其特征在于，所述第二带隙变化层由In含量互不相同的多个InGaN层层积而构成。