[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

液晶显示装置由于体积小、功耗低、辐射低等优点，被广泛应用于电视、显示器、笔记本电脑、平板电脑等设备上。

目前，在制造超高级超维场转换（HADS,High Advanced Dimension Switch）型阵列基板时，通常需要进行八道掩膜工序，依次为对栅极、栅极绝缘层、蚀刻停止层、源漏金属层、钝化层、公共电极、钝化层和像素电极进行构图。由于对于每一道掩膜工序而言，需要制造成本高昂的掩膜板，还需要执行曝光、显影、蚀刻、灰化等工艺步骤，从而使得现有阵列基板制造工艺复杂，生产成本高。因此，亟需一种能够减少掩膜工序的制造方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是现有阵列基板制造工艺复杂的问题。

为此目的，本发明提出了一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极，其中所述有源层和所述第一透明电极由同一金属氧化物层形成，所述源极和漏极位于所述有源层上方，其中所述第一透明电极对应于掩膜板的第一半透光区域，所述薄膜晶体管的沟道区域对应于所述掩膜板的第二半透光区域，所述薄膜晶体管的源极和漏极对应于所述掩膜板的不透光区域，所述掩膜板的第一半透光区域的透光率大于所述掩膜板的第二半透光区域的透光率。

优选地，所述金属氧化物通过等离子处理形成第一透明电极。

优选地，所述掩膜板的半透光区域为半色调掩膜或灰阶掩膜。

优选地，所述金属氧化物为IGZO或ITZO或两者的混合物。

优选地，在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极前，还包括：在阵列基板上形成有源层遮光层和所述第一透明电极的引线，其中所述遮光层对应于薄膜晶体管的有源层区域，所述第一透明电极为公共电极。

优选地，在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极后，还包括：形成覆盖所述源极、漏极和所述第一透明电极的绝缘层，所述绝缘层上设置有过孔；形成所述薄膜晶体管的栅极和第二透明电极，其中所述第二透明电极通过所述绝缘层的过孔与所述漏极电连接，所述第二透明电极为狭缝状像素电极。

优选地，在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极前，还包括：在所述阵列基板上形成所述薄膜晶体管的栅极和绝缘层。

优选地，在采用一道掩膜工序形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及第一透明电极后，还包括：形成连接所述漏极与所述第一透明电极的导电接触，其中所述第一透明电极是像素电极；形成位于所述导电接触上方的钝化层和第二透明电极，所述第二透明电极为狭缝状公共电极。

本发明进一步提出了一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上方的有源层和公共电极，所述有源层和所述公共电极由同一金属氧化物层形成；形成在所述有源层上方的源极和漏极；形成在所述源极、漏极和公共电极上方的绝缘层，所述绝缘层上设置有过孔；形成在所述绝缘层上方的像素电极，所述像素电极通过所述绝缘层上的过孔与所述漏极连接；形成在所述绝缘层上方的栅极。

优选地，所述金属氧化物层通过等离子处理形成公共电极。

优选地，所述阵列基板还包括：形成在所述基板与所述有源层之间的遮光层以及与所述公共电极电连接的公共电极引线。

本发明还提出了一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上方的栅极；覆盖所述基板和所述栅极的绝缘层；形成在所述绝缘层上方的有源层和像素电极，所述有源层和所述像素电极由同一金属氧化物层形成且相互邻接；形成在所述有源层上方的源极和漏极；形成在所述漏极和所述像素电极上的导电接触，用于使所述漏极和所述像素电极电连接；覆盖所述绝缘层、源极、漏极、有源层、导电接触和像素电极的钝化层；形成在所述钝化层上方的公共电极。

优选地，所述金属氧化物通过等离子处理形成像素电极。

本发明还提出了一种显示装置，其包括上述阵列基板。

通过采用本发明所公开的阵列基板制造方法，极大减少了阵列基板的制造工艺步骤，降低了阵列基板的制造成本。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1示出了根据本发明实施例的阵列基板制造方法的流程图。