[发明专利]铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜及其制备方法和应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种属于发光薄膜材料领域，尤其涉及一种锆锑酸盐的发光薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。

锆锑酸盐类发光材料是作为LED荧光粉的热门研究材料。紫外激发蓝色荧光粉已经可以作为商用的产品，并在不断的改善研发中。

发明内容

发明目的在于制备一种可以商用的铕铽共掺杂锆锑酸盐的发光薄膜。

本发明的技术方案如下：

本发明提供的一种铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜，其结构通式为RZr_4-x-ySb₆O₂₄∶xEu²⁺,yTb³⁺；其中，RZr₄Sb₆O₂₄是基质，Eu²⁺和Tb³⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；R为Mg、Ca、Ba或Sr，x的取值为0.01～0.05，y的取值为0.005～0.03。

本发明的特征在于利用磁控溅射设备，制备铕铽共掺杂锆锑酸盐RZr_4-x-ySb₆O₂₄∶xEu²⁺,yTb³⁺发光薄膜。薄膜的制备包括了下面几个步骤：

（1）陶瓷靶材的制备：称取RO，ZrO₂，Sb₂O₅，Eu₂O₃和Tb₄O₇粉体，其摩尔比为1：（4-x-y）：3：x/2：y/4，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，优选1250℃,制成Φ50×2mm的陶瓷靶材。

（2）将步骤（1）中的陶瓷靶材及ITO衬底装入镀膜设备的腔体，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，优选5.0×10^-4Pa；

（3）调节制膜工艺参数：基靶间距为45～95mm，优选60mm，衬底温度为250℃～750℃，优选500℃，工作压强0.2～4Pa，优选2.0Pa，然后通入氩气作为工作气体，气体流量10～35sccm，优选25sccm，进行制膜；

（4）停止制膜，得到的样品在0.01Pa真空炉中退火1～3h，优选2h，退火温度为500℃～800℃，优选600℃，得到所述铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜，该发光薄膜的结构通式为RZr_4-x-ySb₆O₂₄∶xEu²⁺,yTb³⁺；其中，RZr₄Sb₆O₂₄是基质，Eu²⁺和Tb³⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；R为Mg、Ca、Ba或Sr，x的取值为0.01～0.05，y的取值为0.005～0.03。

本发明又提供一种上述铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜在有机电致发光器件发光层领域中的应用。

本发明采用磁控溅射设备，制备铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜RZr_4-x-ySb₆O₂₄∶xEu²⁺,yTb³⁺，得到薄膜的电致发光谱（EL）中，在480nm和580nm位置有很强的发光峰，相对发光强度分别为1950和2500，可作为薄膜电致发光器件的潜在应用材料。

附图说明

图1为实施例1制得的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的EL发光谱；

图2为实施例12制得有机电致发光器件的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。