[发明专利]一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

a、在一生长衬底的一表面上生长一外延层，该外延层包括依次生长的n型氮化镓、量子阱和p型氮化镓；

b、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p型氮化镓、量子阱和部分的n型氮化镓，露出n型氮化镓；

c、光刻去除所述露出n型氮化镓的部分区域至生长衬底，形成沟槽，通过沟槽将外延层分成多个芯片结构，同时将每个芯片结构分成多个独立的子单元；

d、在各个子单元的p型氮化镓的表面分别制备一层p面欧姆接触层，该p面欧姆接触层也是反射镜层；

e、在各p面欧姆接触层的表面分别制备一层能够将p面欧姆接触层包覆在其内部的金属阻挡层；

f、在各金属阻挡层的表面及步骤c中形成的沟槽内制备一层相互连贯的绝缘层，并在沟槽内填充绝缘材料，并通过光刻去除部分区域的绝缘材料和绝缘层；

g、在去除了绝缘材料和绝缘层的区域生长一层导电材料，该导电材料和n型氮化镓能够形成欧姆接触，并通过光刻工艺实现相邻子单元的n型氮化镓和p型氮化镓之间的导电连接，形成电路连接层；

h、在电路连接层和绝缘层的表面上生长另一层绝缘材料层覆盖整个表面；

i、在绝缘材料层上生长一层金属材料层，将二次衬底粘合到金属材料层上；

j、去除生长衬底，粗化n型氮化镓；

k、制备p焊盘和n焊盘；

l、将芯片结构分割开来，完成高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造。

2.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤f中绝缘层为氮化硅绝缘层，填充的绝缘材料为氧化硅或氮化硅或氮氧化硅或氮化铝或涂布玻璃或聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤h中绝缘材料层为氧化硅层或氮化硅层或氮氧化硅层或氮化铝层，优选热导性好的氮化硅层或氮氧化硅层或氮化铝层。

4.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤i中的粘合方法为键合或电镀或导电胶粘合。

5.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤i中二次衬底采用热导性好的硅或铜或碳化硅或陶瓷制成。

6.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤j中去除生长衬底的方法为激光剥离法或湿法腐蚀法或研磨法或抛光法或ICP/RIE干法刻蚀法的任一种方法或几种方法的组合。

7.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤j中粗化n型氮化镓的方法为光辅助电化学腐蚀法或湿法腐蚀法或ICP/RIE干法粗化法的任一种方法或几种方法的组合。

8.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤k中制备p焊盘和n焊盘的步骤包括光刻制备p、n焊盘区域、腐蚀绝缘层和生长焊盘金属。

9.根据权利要求1所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法，其特征在于上述步骤l中分割芯片结构的方法为激光划片裂片法或锯片法。

10.一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的结构，其采用上述任一权利要求所述高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法制作而成，其特征在于包括二次衬底及倒装在二次衬底上的LED芯片，所述的LED芯片包括多个分立的LED子单元，所述各LED子单元通过电路连接层依次串联，且所述的倒装在二次衬底上的LED芯片为去除了生长衬底的LED结构，其厚度为2～10 μm，LED子单元的个数为2～70个。