[发明专利]光罩式只读存储器的结构及制造方法

权利要求书

1.光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤为：

1)用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；

2)涂布N型埋源漏光阻，曝光，进行砷离子或磷离子注入，形成N型埋源漏；

3)形成多晶硅栅和第一隔离侧墙，淀积氮化硅介质层，并回刻形成第二隔离侧墙；

4)对NMOS进行源漏注入工艺与对信息单元“1”的区域进行N型掺杂工艺同时进行；对PMOS进行源漏注入工艺与对信息单元“0”的区域进行P型掺杂工艺同时进行；

5)在多晶硅栅上面形成金属硅化物，形成带有N型掺杂的信息单元“1”和P型掺杂的信息单元“0”的CMOS器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，注入能量为50～90keV，注入剂量为5.8e14～6.1e15个/cm²，注入角度为0度倾斜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，进行N型掺杂时，注入杂质为砷，注入能量为21～48keV，注入剂量为8e14～4.2e15个/cm2。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，进行P型掺杂时，注入杂质为硼，注入能量为5～15keV，注入剂量为7.3e14～5.2e15个/cm2。