[发明专利]阵列基板和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD）具有体积小、重量轻、功耗低、辐射低等特点，已经被广泛应用于各种电子设备中，其中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）是一种主要的平板显示装置（Flat Panel Display，简称FPD）。

根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型、水平电场型和多维电场型。垂直电场型TFT-LCD包括扭曲向列（Twist Nematic，简称TN）型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括共平面切换（In-Plane Switching，简称IPS）型TFT-LCD；多维电场型TFT-LCD包括高级超维场转换（Advance Super Dimension Switch，简称ADS）型TFT-LCD。

在TFT-LCD的生产过程中，TFT-LCD的阵列基板的数据线断线是引起不良的常见原因，尤其在数据线很细的时候。TFT-LCD的阵列基板的数据线断线即数据线断开，耗费了大量的时间进行维修，而维修后，往往会影响TFT-LCD的品质。

如图1，图2和图3所示，现有的高级超维场转换型薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上方的多条数据线100和栅线200，多条栅线100和数据线200交叉限定形成多个亚像素区域300，每个亚像素区域内形成有像素电极310和位于像素电极下方且与之绝缘的公共电极320，像素电极310位于亚像素区域内的最上层。在阵列基板的生产或使用过程中，掉落至数据线100的尘埃或数据线中局部的脱落会导致数据线100断开，即数据线100断线。

同样的，如图4，图5和图6所示，现有的扭曲向列型薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上方的多条数据线100和栅线200，多条栅线100和数据线200交叉限定形成多个亚像素区域300，每个亚像素区域内形成有像素电极310和位于像素电极下方且与之绝缘的公共电极320，像素电极310位于亚像素区域内的最上层；其中，公共电极的厚度较大。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板和液晶显示器，与现有技术相比，在数据线发生断线情况时，不需要对发生数据线断线的阵列基板和液晶显示器进行维修，提高了阵列基板和液晶显示器的品质。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板和位于衬底基板上方的多条平行的数据线；还包括多条连接用导电线，每条连接用导电线与一条所述数据线一一对应；

每条连接用导电线位于与之对应的数据线的上方或下方，且每条连接用导电线和与之对应的数据线多处连接。

优选的，所述每条数据线直接形成于与之对应的连接用导电线上且每条连接用导电线在所述衬底基板上的投影可覆盖与之对应的数据线在所述衬底基板上的投影。

优选的，所述阵列基板是扭曲向列型或高级超维场转换型薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板。

优选的，还包括位于衬底基板上方的多条平行的栅线；所述多条栅线和数据线相互垂直设置，所述多条栅线和数据线交叉限定形成多个亚像素区域，所述每个亚像素区域内形成有像素电极和位于像素电极下方且与之绝缘的公共电极，所述像素电极位于亚像素区域内的最上层；所述公共电极和连接用导电线通过一次构图工艺曝光形成。

优选的，还包括位于数据线上一层第一绝缘层；所述第一绝缘层与每条数据线正对的位置沿每条数据线延伸方向具有多个贯穿第一绝缘层厚度的第一通孔；

所述每条连接用导电线直接形成于所述第一绝缘层上，所述每条连接用导电线通过所述多个第一通孔和与之对应的数据线多处连接。

优选的，还包括位于衬底基板上的多条平行的栅线；所述多条栅线和数据线相互垂直设置，所述多条栅线和数据线交叉限定形成多个亚像素区域，所述每个亚像素区域内的最上层形成有像素电极；所述像素电极和连接用导电线通过一次构图工艺曝光形成。

优选的，所述阵列基板是扭曲向列型薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板；

所述扭曲向列型薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板还包括位于像素电极下方且与之绝缘的公共电极和连接部分外围公共电极走线的钝化层过孔；所述第一通孔和钝化层过孔通过一次构图工艺曝光形成，且所述第一通孔的直径大于或等于钝化层过孔的直径。