[发明专利]一种化学机械抛光液以及抛光方法在审
申请号: | 201310726697.6 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104745082A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 高嫄;荆建芬;陈宝明 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 以及 抛光 方法 | ||
1.一种化学机械抛光液在提高二氧化硅/氮化硅选择比中的应用,其特征在于,所述化学机械抛光液包含研磨颗粒,含硅的有机化合物,大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子,以及含氮化合物,且所述含硅的有机化合物为以下通式,
其中,R为不能水解的取代基,D是连接在R上的有机官能团,其可与有机物质反应而结合,A,B为相同的或不同的可水解的取代基或羟基,C是可水解基团或羟基,或不可水解的烷基取代基。
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述研磨颗粒为二氧化硅研磨颗粒。
3.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述研磨颗粒的浓度为质量百分比1%~50%。
4.如权利要求3所述的应用,其特征在于,所述研磨颗粒的浓度为质量百分比2%~10%。
5.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述研磨颗粒的粒径为20~200nm。
6.如权利要求5所述的应用,其特征在于,所述研磨颗粒的粒径为20~120nm。
7.如权利要求1所述的应用,其特征在于,其中R为烷基,且所述烷基碳链上的碳原子被氧、氮、硫、膦、卤素、硅原子继续取代;A,B和C分别为氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰氧基或羟基;D为氨基、脲基、巯基、环氧基、丙烯酸基、乙烯基或丙烯酰氧基。
8.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含硅的有机化合物为硅烷偶联剂。
9.如权利要求8所述的应用,其特征在于,所述含硅的有机化合物为3-氨基丙基三乙氧基硅烷(商品名KH-550),γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(商品名KH-560),γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(商品名KH-570),γ-巯丙基三乙氧基硅烷(商品名KH-580),γ-巯丙基三甲氧基硅烷(商品名KH-590),N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷(商品名KH-602),γ-氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷(商品名KH-792),γ―氨丙基甲基二乙氧基硅烷(商品名KH-902),γ-二乙烯三氨基丙基甲基二甲氧基硅烷(商品名KH-103)中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子是金属离子和非金属离子。
11.如权利要求10所述的应用,其特征在于,所述大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子是钾离子,铵离子,铁离子,四丁基铵离子中的一种或多种。
12.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子的浓度为0.1mol/Kg-1mol/Kg。
13.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含氮化合物为聚二甲基二烯丙氯化铵、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、缩水甘油基三甲基氯化铵、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十二烷基硫酸铵、乙酸胍、碳酸胍、磷酸胍、脲中的一种或多种。
14.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含氮化合物的含量为质量百分比0.01~1.5%。
15.如权利要求14所述的应用,其特征在于,所述含氮化合物的含量为质量百分比0.05~0.5%。
16.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含硅的有机化合物的浓度为质量百分比0.001%~1%。
17.如权利要求16所述的应用,其特征在于,所述含硅的有机化合物的浓度为质量百分比0.01%~0.5%。
18.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述化学机械抛光液的pH为1-7。
19.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述化学机械抛光液的pH为3-5。
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