[发明专利]含Al2O3陶瓷纳米薄膜的聚四氟乙烯多层膜复合方法无效
| 申请号： | 201310725739.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103643215A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 汤卉;邵璇;李磊;沙宇;邵俊鹏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/08;C23C14/12;C08J7/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al sub 陶瓷 纳米 薄膜 聚四氟乙烯 多层 复合 方法 | ||
1.一种含Al2O3陶瓷纳米薄膜的聚四氟乙烯多层膜复合方法，其特征是：第一步，将聚四氟乙烯样品进行表面处理，包括用酒精润湿表面，之后将所述的聚四氟乙烯样品放入带有丙酮液的超声波清洗仪中进行清洗，之后将所述的聚四氟乙烯样品放入100℃的干燥箱中恒温干燥1.5小时，冷却后待用；
第二步，在MEVVA80-10型离子注入机中注入能量为50KeV、剂量为1X1017ion/cm2的N+离子，对靶进行清洗；
第三步，对第一步预处理后的聚四氟乙烯样品进行离子注入技术处理：将预处理后的所述的聚四氟乙烯样品放入所述的MEVVA80-10型离子注入机中并将其作为阳极靶，再以PTFE靶和Al靶分别作为阴极靶，交替注入，进行离子注入沉积形成多层纳米复合膜产品。
2.根据权利要求1所述的含Al2O3陶瓷纳米薄膜的聚四氟乙烯多层膜复合方法，其特征是：将预处理后的所述的聚四氟乙烯样品放入MEVVA80-10型离子注入机的金属真空室内，所述的PTFE靶和Al靶为阴极靶进行共10层的交替注入过程为：首先，在所述的聚四氟乙烯样品浅表层注入掺杂金属Al离子，经过10分钟的沉积时间后形成一层Al2O3纳米陶瓷薄膜掺杂层，然后，在Al2O3纳米陶瓷薄膜表面注入PTFE离子，经过5分钟的沉积时间后形成一层PTFE纳米薄膜，循环进行掺杂金属Al离子和PTFE离子的交替注入过程，通过控制注入时间来控制所述的多层纳米复合膜产品的厚度；其中，所述的MEVVA80-10型离子注入机加速电压为40KV，铝离子能量为20-40KeV，铝离子束剂量为1X1015 ion/cm2-1X1016ion/cm2，铝离子束流密度为10uA/cm2，Al3+离子注入在2X（10-4-10-6）Pa大气压下形成，工作压力为3X(10-3-10-5)Pa。
3.根据权利要求1或2所述的含Al2O3陶瓷纳米薄膜的聚四氟乙烯多层膜复合方法，其特征是：所述的多层纳米复合膜产品的厚度是经过循环进行掺杂金属Al离子和PTFE离子的交替注入的过程五次，得到5层Al2O3陶瓷纳米薄膜和5层PTFE纳米薄膜相间的Al2O3陶瓷-聚四氟乙烯(PTFE)多层复合膜。
4.根据权利要求1或2或3所述的含Al2O3陶瓷纳米薄膜的聚四氟乙烯多层膜复合方法，其特征是：在所述的Al2O3陶瓷-聚四氟乙烯(PTFE)多层复合膜中，Al2O3纳米陶瓷薄膜为γ- Al2O3晶体，所述的γ- Al2O3晶体为尖晶石型结构的高级晶族立方晶系，其晶格常数a=7.910 ?，空间群为Fd3m。
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