[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法在审
| 申请号: | 201310724860.5 | 申请日: | 2013-12-25 | 
| 公开(公告)号: | CN104752347A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 | 
| 发明(设计)人: | 简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 | 
| 代理公司: | 无 | 代理人: | 无 | 
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管具有自发光的特性,因此,采用有机发光二极管的显示屏无需背光源,能够显著节省电能。而且,采用有机发光二极管的显示屏幕可视角度大,因此,有机发光二极管成为研究热点。
现有技术通常将多个有机发光二极管制备在一基底上形成一阵列。其中,该有机发光二极管阵列的制备方法包括:在一基底上制备一薄膜晶体管(TFT)阵列;在该薄膜晶体管阵列上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成多个第一电极;在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层将每个第一电极的边缘覆盖,使每个第一电极的中间部分暴露;在每个第一电极暴露的部分表面形成一有机发光层;以及在该有机发光层上形成一第二电极。
然而,现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀,其不仅需要掩模,而且需要高温真空条件。因此,制备工艺复杂,成本较高。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种工艺简单,成本低廉的有机发光二极管阵列的制备方法。
一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;至少在多个凸部的顶面形成多个第一电极,且多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面制备一电洞注入层;在每个电洞注入层的表面转印形成一电洞传输层,且对应同一像素单元的三个电洞传输层具有不同的厚度;在对应同一像素单元的三个电洞传输层表面分别形成发不同颜色光的电激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极,该至少一第二电极位于所述有机发光层远离基板的一侧且与该有机发光层电连接。
一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成多个间隔设置的凸部;至少在多个凸部的顶面形成多个间隔设置的第一电极;在每个第一电极的表面制备一电洞注入层;提供一印模,并在该印模的表面形成不同高度的三个表面;在该印模的表面形成一电洞传输薄膜,该电洞传输薄膜远离印模的表面为一平面,从而使得该电洞传输薄膜在不同高度的三个表面具有不同的厚度;使对应同一像素单元的三个电洞注入层的表面分别与该不同高度的三个表面的电洞传输薄膜远离印模的表面接触;以及使对应同一像素单元的三个电洞注入层与该印模分离,在对应同一像素单元的三个电洞注入层的表面形成不同厚度的电洞传输层;在对应同一像素单元的三个电洞传输层表面分别形成发不同颜色光的电激发光层作为有机发光层,其中,对应同一像素单元的电激发光层分别为红光电激发光层、绿光电激发光层和蓝光电激发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极,该至少一第二电极位于所述发电激发光层远离基板的一侧且与该电激发光层电连接。
与现有技术相比较,本发明提供的有机发光二极管阵列的制备方法,通过转印形成有机发光层,避免了蒸镀所需要的掩模和高温真空条件,因此,制备工艺简单,成本低廉。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图2为本发明第一实施例的多个凸部成二维阵列排布的示意图。
图3为本发明第一实施例的多个条形凸部成一维阵列排布的示意图。
图4为本发明第一实施例制备第一电极的工艺流程图。
图5为本发明第一实施例制备有机发光层的工艺流程图。
图6为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图7为有机发光二极管的有机发光层的结构示意图。
图8为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图9为本发明第二实施例制备红光有机发光层的工艺流程图。
图10为本发明第二实施例制备绿光有机发光层的工艺流程图。
图11-12为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图13为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图14为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图15为本发明第四实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图16为本发明第四实施例制备的有机发光二极管阵列的第二电极的结构示意图。
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