[发明专利]介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置及方法

权利要求书

1.一种介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置，其特征在于，包括：真空室、用于模拟空间环境高能电子的电子加速器、介质材料、屏蔽壳、绝缘导热垫、用于给所述介质材料加热的加热片、隔热垫、用于测量所述介质材料漏电流的静电计、用于给所述加热片供电的加热片电源、真空抽气系统、样品台、三维运动导轨、用于监测所述介质材料温度的温度巡检仪、用于监测所述介质材料表面电位的非接触式电位计；

其中，所述电子加速器位于所述真空室的顶部；所述样品台位于所述真空室的底部；所述隔热垫放置于所述样品台的上表面；所述加热片放置于所述隔热垫的上表面，所述绝缘导热垫放置于所述加热片的上表面，所述介质材料放置于所述绝缘导热垫的上表面；所述屏蔽壳位于所述介质材料外侧，包围所述介质材料、绝缘导热垫、加热片和隔热垫；所述三维运动导轨安装于所述真空室的底部，且位于所述样品台的左侧，所述三维运动导轨的测头位于所述介质材料的上方；

所述静电计、加热片电源、真空抽气系统、温度巡检仪和非接触式电位计位于所述真空室的外部；所述温度巡检仪与所述介质材料相连；所述静电计的一端与所述介质材料相连，所述静电计的另一端接地；所述加热片电源与所述加热片相连；所述非接触式电位计的一端与所述三维运动导轨的测头相连，所述非接触式电位计的另一端接地；所述真空抽气系统紧贴所述真空室的外壁。

2.根据权利要求1所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置，其特征在于：

所述介质材料的下表面设置有金属背电极；

所述静电计的一端与所述金属背电极相连，所述静电计的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置，其特征在于：

所述加热片的上表面涂覆有导热硅脂；和/或，

所述绝缘导热垫的上表面涂覆有导热硅脂。

4.根据权利要求1所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置，其特征在于：

所述隔热垫的导热系数小于0.1W/(m·K)。

5.一种介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，使用如权利要求1-4任一所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量装置；所述介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法包括：

将隔热垫放置于样品台的上表面，将加热片放置于所述隔热垫的上表面，将绝缘导热垫放置于所述加热片的上表面，将介质材料放置于所述绝缘导热垫的上表面；

开启真空抽气系统给真空室抽真空；

开启电子加速器模拟空间环境的高能电子；

开启加热片电源给加热片供电，所述加热片给所述介质材料加热；

通过温度巡检仪监测所述介质材料的温度；

通过非接触式电位计监测所述介质材料的表面电位；

通过静电计监测所述介质材料的漏电流；

通过所述介质材料的表面电位和所述介质材料的漏电流，计算所述介质材料在不同温度下的辐射诱导电导率。

6.根据权利要求5所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，所述开启真空抽气系统给真空室抽真空，包括：

开启真空抽气系统；

将所述真空室抽至真空度高于5.0×10^-4Pa的真空。

7.根据权利要求5所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，所述加热片给所述介质材料加热，包括：

所述加热片将所述介质材料加热至30℃～150℃范围内的任一温度值。

8.根据权利要求5所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，所述开启电子加速器模拟空间环境的高能电子，包括：

开启电子加速器；

所述电子加速器模拟高能电子能量范围在0.8MeV-2.3MeV，束流密度范围在1nA/cm²-25nA/cm²内的空间环境。

9.根据权利要求5所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，所述通过非接触式电位计监测所述介质材料的表面电位，包括：

采用型号为Trek341A的非接触式电位计监测所述介质材料的表面电位。

10.根据权利要求5所述的介质材料不同温度下辐射诱导电导率测量方法，其特征在于，所述通过静电计监测所述介质材料的漏电流，包括：

采用型号为Keithley6517A的静电计监测所述介质材料的漏电流。