[发明专利]一种基片集成波导高通滤波器

权利要求书

1.一种基片集成波导高通滤波器，其特征在于，包括输入端的窄带基片集成波导带阻滤波器（1）和输出端的传统基片集成波导高通滤波器（3），以及二者之间的基片集成波导过渡结构（2）；整个基片集成波导（a）包括金属贴片（a1）、介质基片（a2）、金属通孔（a3），在介质基片（a2）的上、下表面分别设有金属贴片（a1），上、下表面的金属贴片（a1）由金属通孔（a3）连接；金属贴片（a1）的输入、输出两侧均通过梯形微带渐变线（4、5）过渡为微带线（6、7），金属贴片（a1）两侧的微带线（6、7）分别是整个滤波器的输入端和输出端；所述带阻滤波器（1）由多个短截线谐振器（11）构成；所述带阻滤波器（1）的上边带为传统基片集成波导高通滤波器（3）的截止频率。

2.根据权利要求1所述的基片集成波导高通滤波器，其特征在于，所述传统基片集成波导高通滤波器（3）的宽度即两排金属通孔中心的垂直距离，根据以下公式确定：

fc=vλc=c/ϵr2aequ]]>

aequ=asiw=1.08d2p+0.1d2asiw]]>

式中，f_c为传统基片集成波导高通滤波器（3）的截止频率，v为光在介质基片（a2）中的传播速度，λ_c为截止频率f_c所对应的波长，a_equ为传统基片集成波导高通滤波器（3）的等效宽度，a_siw为传统基片集成波导高通滤波器（3）的实际宽度，c为光在真空中传播的速度，ε_r为介质基片（a2）的介电常数，d为金属通孔（a3）的直径，p为相邻金属通孔（a3）圆心之间的距离。

3.根据权利要求1所述的基片集成波导高通滤波器，其特征在于，所述带阻滤波器（1）与传统基片集成波导高通滤波器（3）之间的基片集成波导过渡结构（2），采用两阶阶梯渐变波导过渡结构，包括从带阻滤波器（1）输出端开始顺次设置的第一阶梯（21）和第二阶梯（22）。

4.根据权利要求1所述的基片集成波导高通滤波器，其特征在于，所述金属贴片（a1）两侧的微带线（6、7）均为阻抗50欧姆的微带线。

5.根据权利要求1所述的基片集成波导高通滤波器，其特征在于，所述带阻滤波器（1）由3个短截线谐振器（11）构成，且短截线谐振器（11）的长度均为λ_g/2，相邻短截线谐振器（11）的间距为3λ_g/4，λ_g为带阻滤波器（1）的阻带中心频率所对应的波导波长。