[发明专利]布线基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310724379.6 申请日: 2013-12-25
公开(公告)号: CN104378933B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 后藤善秋 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H01L21/48
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 刘瑞东,陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 布线 制造 方法 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种布线基板的制造方法,其特征在于,具备:

在绝缘层上形成具有连接端子及布线的布线层的步骤;

在上述布线层的连接端子上层叠第1掩模层的步骤;

在上述布线层上及上述第1掩模层上层叠阻焊层的步骤;

蚀刻上述阻焊层直到上述第1掩模层的表面露出为止的步骤;和

除去通过上述蚀刻露出的上述第1掩模层的步骤,

在蚀刻上述阻焊层的步骤之前,具备:

在上述阻焊层上层叠第2掩模层的步骤;和

在上述第2掩模层的位于上述第1掩模层上的区域形成开口的步骤;

以形成了开口的上述第2掩模层作为掩模,蚀刻上述阻焊层。

2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法,其特征在于,

在上述第2掩模层形成的开口比上述第1掩模层大。

3.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法,其特征在于,

上述阻焊层比上述第1掩模层厚。

4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

在绝缘层上形成具有连接端子及布线的布线层的步骤;

在上述布线层的连接端子上层叠第1掩模层的步骤;

在上述布线层上及上述第1掩模层上层叠阻焊层的步骤;

蚀刻上述阻焊层直到上述第1掩模层的表面露出为止的步骤;

除去通过上述蚀刻露出的上述第1掩模层的步骤;

在上述阻焊层上设置半导体芯片的步骤;

将上述半导体芯片和除去上述第1掩模层而露出的上述连接端子用接合线连接的步骤;和

将上述半导体芯片、上述连接端子及上述接合线用密封树脂密封的步骤,

在蚀刻上述阻焊层的步骤之前,具备:

在上述阻焊层上层叠第2掩模层的步骤;和

在上述第2掩模层的位于上述第1掩模层上的区域形成开口的步骤;

以形成了开口的上述第2掩模层作为掩模,蚀刻上述阻焊层。

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