[发明专利]布线基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201310724379.6 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104378933B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 后藤善秋 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 刘瑞东,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种布线基板的制造方法,其特征在于,具备:
在绝缘层上形成具有连接端子及布线的布线层的步骤;
在上述布线层的连接端子上层叠第1掩模层的步骤;
在上述布线层上及上述第1掩模层上层叠阻焊层的步骤;
蚀刻上述阻焊层直到上述第1掩模层的表面露出为止的步骤;和
除去通过上述蚀刻露出的上述第1掩模层的步骤,
在蚀刻上述阻焊层的步骤之前,具备:
在上述阻焊层上层叠第2掩模层的步骤;和
在上述第2掩模层的位于上述第1掩模层上的区域形成开口的步骤;
以形成了开口的上述第2掩模层作为掩模,蚀刻上述阻焊层。
2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法,其特征在于,
在上述第2掩模层形成的开口比上述第1掩模层大。
3.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法,其特征在于,
上述阻焊层比上述第1掩模层厚。
4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:
在绝缘层上形成具有连接端子及布线的布线层的步骤;
在上述布线层的连接端子上层叠第1掩模层的步骤;
在上述布线层上及上述第1掩模层上层叠阻焊层的步骤;
蚀刻上述阻焊层直到上述第1掩模层的表面露出为止的步骤;
除去通过上述蚀刻露出的上述第1掩模层的步骤;
在上述阻焊层上设置半导体芯片的步骤;
将上述半导体芯片和除去上述第1掩模层而露出的上述连接端子用接合线连接的步骤;和
将上述半导体芯片、上述连接端子及上述接合线用密封树脂密封的步骤,
在蚀刻上述阻焊层的步骤之前,具备:
在上述阻焊层上层叠第2掩模层的步骤;和
在上述第2掩模层的位于上述第1掩模层上的区域形成开口的步骤;
以形成了开口的上述第2掩模层作为掩模,蚀刻上述阻焊层。
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