[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201310723605.9 | 申请日: | 2013-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN103700673B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 高静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 腾一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示装置 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,所述基板上设有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层,在所述钝化层上设有平坦化的像素电极,所述像素电极的部分区域与所述基板接触,所述像素电极与所述基板接触的部分的厚度大于所述栅绝缘层、所述源漏电极和所述钝化层的厚度之和;
所述像素电极由导电碳材料和导电聚合物两者混合物组成的导电溶液制成;
所述导电碳材料为碳纳米管和石墨烯两者的混合物。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电聚合物为聚噻吩、聚苯胺和聚吡咯中的一种或至少任意两种的混合物。
3.一种制作权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上形成薄膜晶体管的图案,其中,薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层的图案;
在所述钝化层上直接形成平坦化的像素电极的图案,所述像素电极的部分区域与所述基板接触,所述像素电极与所述基板接触的部分的厚度大于所述栅绝缘层、所述源漏电极和所述钝化层的厚度之和;
所述在所述钝化层上直接形成平坦化的像素电极图案具体包括:
在钝化层上涂覆由导电碳材料和导电聚合物两者混合物组成的导电溶液;
对钝化层上的导电溶液进行烘烤处理,形成导电层,刻蚀导电层,形成平坦化的像素电极的图案;
其中,所述导电碳材料为碳纳米管和石墨烯两者的混合物。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述导电溶液通过旋涂、卷对卷、杆涂法中的任意一种或者任意两种及以上的组合方法涂覆至钝化层上。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述刻蚀导电层采用Ar等离子体刻蚀、O2等离子体刻蚀、CF4等离子体刻蚀、CF6等离子体刻蚀、电感耦合等离子体、电子束微影工艺中的至少一种或者两种及以上组合。
6.一种显示装置,包括权利要求1或2所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





