[发明专利]显示装置、有机电致发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201310723032.X | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103681769A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 有机 电致发光 器件 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示装置、有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
在平面显示器当中,由于OLED有机电致发光具有自发光、高亮度、广视角、高响应速度及工艺容易等特性,使得有机电致发光装置无疑成为下一代平面显示器的最佳选择。
而如何使得有机电致发光器件的能够发出高纯度的光线一直是有机电致发光器件的发展趋势。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种能够提高有机电致发光器件的色纯度,进而提高出光率的有机电致发光器件。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明一方面提供了一种有机电致发光器件,包括:
基板,所述基板上依次设有薄膜晶体管和底电极;所述底电极上设有间隔设置的多个像素界定层,位于相邻像素界定层之间形成的开口区域的底电极内部嵌有第一反射层;
有机发光层,其位于像素界定层之间;所述有机发光层的位置与第一反射层的位置相对应;
具有上述结构层的基板上依次设有顶电极。
优选地,所述像素界定层暴露在外的侧壁和上表面设有第二反射层。
优选地,所述像素界定层的底部延伸至底电极的内部。
优选地,所述第一反射层中掺杂金属纳米颗粒。
优选地,所述金属为Ca、Ag、Mg、Al、Li、Cu的任一种或者其任意组成的合金。
优选地,所述第一反射层的厚度小于底电极的厚度。
优选地,所述有机发光层至少包括红色子有机发光层、蓝色子有机发光层和绿色子有机发光层。
优选地,所述第一反射层和第二反射层的材料相同。
优选地,所述薄膜晶体管和底电极之间设有平坦层。
另一方面,本发明还提供一种有机电致发光器件的制作方法,包括:
步骤S1、在基板上依次形成薄膜晶体管和底电极的图形;
步骤S2、在所述底电极上形成像素界定层的图形,所述像素界定层间隔设置,其中,位于相邻像素界定层之间形成的开口区域的底电极内部嵌有第一反射层的图形;
步骤S3、在完成上述步骤的基板上形成有机发光层的图形,所述有机发光层位于像素界定层之间且与第一反射层的位置相对应;
步骤S4、所述像素界定层暴露在外的侧壁和上表面形成第二反射层;
步骤S5、在完成上述步骤的基板上形成顶电极的图形。
所述步骤S2具体包括:
步骤S211、在所述底电极上形成像素界定层的图形,所述像素界定层间隔设置,其中,位于相邻像素界定层之间形成的开口区域的底电极的厚度小于底电极其他位置的厚度;
步骤S212、在位于相邻像素界定层之间形成的开口区域的底电极上表面形成第一反射层的图形;
步骤S213、在完成上述步骤的基板上,在第一反射层的上表面再次形成底电极的图形,使得位于相邻像素界定层之间形成的开口区域的底电极的厚度等于底电极其他位置的厚度。
优选地,所述步骤S3中,形成有机发光层的图形具体包括:
通过蒸镀或溶液涂覆方式形成有机发光层的图形,其中有机发光层至少包括红色子有机发光层、绿色子有机发光层和蓝色子有机发光层。
再一方面,本发明还提供一种显示装置,包括上述的有机电致发光器件。
(三)有益效果
本发明提供一种显示装置、有机电致发光器件及其制作方法,通过在底电极内嵌入反射层以及在像素界定层的表面和侧面设置反射层,可最大程度地提高有机电致发光器件的色纯度,提高器件的出光率,确保产品显示画面的品质。
附图说明
图1~图8为本发明实施例制作有机电致发光器件具体过程示意图;
图9为本发明实施例有机电致发光器件制作方法流程图。
其中:1:基板;2:薄膜晶体管;3:平坦层;4:过孔;5、8:底电极;6:像素界定层;7:第一反射层;9:红色子有机发光层,10:绿色子有机发光层;11:蓝色子有机发光层;12:第二反射层;13:顶电极;14:封盖玻璃。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
如图1~图8所示,本发明提供一种有机电致发光器件,包括基板1,基板1上依次设有薄膜晶体管2、平坦层3和底电极5;所述平坦层3上设有过孔4;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的