[发明专利]一种OLED面板及其制作方法有效
申请号: | 201310723009.0 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103700690B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张祝新 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED面板,包括基板、依次设置在所述基板上的第一电极层、有机功能层及第二电极层;其特征在于,所述第一电极层由若干相交的狭缝隔离成独立的第一电极区块,在相邻的第一电极区块之间形成有覆盖所述第一电极区块之间的所述狭缝以及与所述狭缝相邻的所述第一电极区块边缘的第一绝缘层,在所述第一绝缘层外侧设置有至少一个辅助电极,所述辅助电极覆盖部分所述第一绝缘层且与被所述第一绝缘层遮挡住部分边缘的一个第一电极区块形成电连接,在所述辅助电极外侧设置有第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于:所述第一绝缘层外侧设置有两个相互绝缘的辅助电极,分别与位于所述第一绝缘层两侧、且被其遮挡住部分边缘的两个第一电极区块形成电连接。
3.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于:所述第一绝缘层上具有通孔,所述辅助电极通过该通孔与所述第一电极区块电连接。
4.根据权利要求1或2所述的OLED面板,其特征在于:所述辅助电极沿所述第一绝缘层外侧分布且延伸至所述第一电极区块处,且与所述第一电极区块电连接。
5.根据权利要求1或2所述的OLED面板,其特征在于:所述辅助电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的剖面的厚度小于1微米。
6.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下:
在基板上制备第一电极层并光刻成若干第一电极区块,在第一电极区块之间形成狭缝,通过绝缘材料覆盖所述第一电极区块之间的狭缝以及与所述狭缝相邻的所述第一电极区块边缘形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层覆盖所述第一电极区块的区域开设通孔;
在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极,所述辅助电极覆盖部分所述第一绝缘层且通过上述通孔与一个第一电极区块电连接;
在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
7.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下:
在基板上制备第一电极层并隔离成若干第一电极区块,通过绝缘材料覆盖所述第一电极区块之间的狭缝以及与所述狭缝相邻的所述第一电极区块边缘形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极,所述辅助电极覆盖所述第一绝缘层且与所述第一绝缘层两侧的一个第一电极区块电连接;
在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法,其特征在于:在所述第一绝缘层上制作两个分隔开的所述辅助电极,分别与所述第一绝缘层覆盖的两个第一电极区块形成电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:在制作所述第二绝缘层之前,还包括绝缘材料填充步骤,将所述辅助电极之间的间隔用绝缘材料进行填充。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:所述辅助电极的材料为Al、Ag、Cu,通过蒸镀或溅射的方法来制作辅助电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的