[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的驱动方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管-液晶显示器（TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Device）的阵列基板采用行列矩阵驱动模式，具体由N行栅极线和M列数据线交叉形成行列矩阵，以实现对行列矩阵中的每个像素电极进行控制。

图1a和图1b为目前的TFT-LCD的像素电路的等效示意图，在图1a和图1b中，各个TFT的栅极与对应的栅极线相连，各个TFT的源极与对应的数据线相连，各个TFT的漏极与对应的存储电容的一端相连，存储电容的另一端连接阵列基板中的公共电极线Vcom（公共电极线Vcom的电平通常为0），存储电容中与TFT漏极相连的一端连接像素电极（图1a和图1b中未示出）。例如，在图1a中，对于第2行第2列的TFT nT22来说，nT22的栅极连接第二条栅极线Gate2，nT22的源极连接第二条数据线Data2，nT22的漏极连接存储电容C22的一端，存储电容C22的一端连接公共电极线Vcom。在图1b中，对于第4行第3列的TFT pT43来说，pT43的栅极连接第四条栅极线Gate4，pT43的源极连接第三条数据线Data3，pT43的漏极连接存储电容C43的一端，存储电容C43的一端连接公共电极线Vcom。

图1a与图1b的区别在于，图1a中的各个TFT均为N型TFT，当对应的栅极线上的电压为高电平时开启，当对应的栅极线上的电压为低电平时关闭；图1b中的各个TFT均为P型TFT，当对应的栅极线上的电压为低电平时开启，当对应的栅极线上的电压为高电平时关闭。

在图1a中，当第一条栅极线Gate1上的电压Vg1为高电平时，第一条栅极线上连接的TFT，如nT11、nT12、nT13开启，当第一条栅极线上的电压Vg1为低电平时，第一条栅极线上连接的TFT，如nT11、nT12、nT13关断。图1a中的各条栅极线依次被驱动，也即第一条栅极线Gate1连接的TFT先开启，在第一条栅极线Gate1连接的TFT关断后，第二条栅极线Gate2连接的TFT开启，在第二条栅极线Gate2连接的TFT关断后，第三条栅极线Gate3连接的TFT开启，依次向后传递。但是，当一条栅极线连接的TFT关断时，由于该栅极线连接的TFT中的寄生电容的影响，与该栅极线连接的TFT相连的存储电容的一端的电压信号会降低，产生的馈通电压会导致与该存储电容相连的像素电极上的电压信号降低，使得该像素电极的信号驱动液晶显示出的灰度并不是原来需要显示的灰度。

在图1b中，当第一条栅极线Gate1上的电压Vg1为低电平时，第一条栅极线上连接的TFT，如pT11、pT12、pT13开启，当第一条栅极线上的电压Vg1为高电平时，第一条栅极线上连接的TFT，如pT11、pT12、pT13关断。图1b中的各条栅极线依次被驱动，即第一条栅极线Gate1连接的TFT先开启，在第一条栅极线Gate1连接的TFT关断后，第二条栅极线Gate2连接的TFT开启，在第二条栅极线Gate2连接的TFT关断后，第三条栅极线Gate3连接的TFT开启，依次向后传递。但是当一条栅极线连接的TFT关断时，由于该栅极线连接的TFT中的寄生电容的影响，与该栅极线连接的TFT相连的存储电容的一端的电压信号会升高，产生的馈通电压会导致与该存储电容相连的像素电极上的电压信号升高，使得该像素电极的信号驱动液晶显示出的灰度也不是原来需要显示的灰度。

综上所述，现有的显示面板中像素TFT由开通变为关断时，由于像素TFT上寄生电容的影响，产生馈通电压，使得像素TFT连接的像素电极上的电压降低（像素TFT为N型TFT）或升高（像素TFT为P型TFT），使得该像素电极的信号驱动液晶显示出的灰度并不是原来需要显示的灰度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的驱动方法。

具体的，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括位于阵列基板上的栅极线、位于阵列基板上的数据线、像素TFT和像素电极，每行像素TFT的栅极对应电连接一条栅极线，每列像素TFT的第一极电连接一条数据线，每个像素TFT的第二极连接一个像素电极，该阵列基板还包括位于所述阵列基板上的补偿电容；

在所述阵列基板上的部分行内，相邻的两条栅极线中，一条栅极线连接的像素TFT均为第一类型TFT，另一条栅极线连接的像素TFT均为第二类型TFT；