[发明专利]一种干刻设备的电极和干刻设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及干刻技术，尤其涉及一种干刻设备的电极和干刻设备。

背景技术

干刻（干法刻蚀）工艺在光刻工艺中已经发展地越来越成熟。干刻工艺的原理，通常情况下是利用等离子体放电来把基板上无光刻胶或诸如SiO2的硬掩膜掩蔽的金属膜或非金属膜刻蚀掉，使有光刻胶或硬掩膜掩蔽的区域保存下来，在基板上形成所需要的图形。

对基板进行干刻是在干刻设备的反应腔中完成的，图1是现有技术中的干刻设备的反应腔的示意图，如图1所示，干刻设备的反应腔包括腔体10、位于腔体之上的上部电极11和位于腔体10之中的下部电极12。在对基板进行干法刻蚀时，基板13放置于下部电极12之上。其中，下部电极也称为底部电极。图2是现有技术中干刻设备的下部电极的剖面示意图，图3是现有技术中干刻设备的下部电极的俯视图。如图2和图3所示，干刻设备的下部电极包括电极基底210、设置于电极基底210上的绝缘层220、位于绝缘层220上且围绕绝缘层220周边设置的边缘凸台230，其中，边缘凸台230具有用于安装所述干刻设备的支撑杆的半圆弧状的垫结构231，支撑杆安装在支撑杆孔232中。

下部电极12中的边缘凸台230用于防止背部冷却气体溢出，但是，由于边缘凸台230略高于下部电极12的中心，使得所述基板降落到下部电极12上时所述基板的边缘与边缘凸台230之间产生紧密接触，使得完成刻蚀后的基板在抬升的过程中有可能出现吸片现象，而随着下部电极12使用周期的增加，边缘凸台230上会不断沉积由基板背面带来的各类物质（包括硅化物和光刻胶），而且沉积物很难去除，使得吸片现象越来越严重。图4是现有技术中完成刻蚀后的基板13在抬升的过程中出现的吸片现象的示意图，如图4所示，吸片现象即完成刻蚀后的基板13在抬升的过程中与边缘凸台230吸附在一起的现象。吸片现象可能导致基板13破碎，影响基板的合格率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种干刻设备的电极和干刻设备，以改善刻蚀完成后的吸片现象，提高基板刻蚀的合格率。

第一方面，本发明实施例提供了一种干刻设备的电极，所述电极包括：电极基底；设置于所述电极基底上的绝缘层；位于所述绝缘层上且围绕所述绝缘层周边设置的边缘凸台，所述边缘凸台具有用于安装所述干刻设备的支撑杆的垫结构；其中，所述边缘凸台包含多个突起结构，所述多个突起结构布置在所述边缘凸台上且围绕所述边缘凸台的周边。

第二方面，本发明实施例还提供了一种干刻设备，所述干刻设备包括本发明任意实施例提供的干刻设备的电极。

本发明实施例提供的干刻设备的电极和干刻设备通过在边缘凸台上且围绕所述边缘凸台的周边布置多个突起结构，使所述电极和基板之间留出了空隙，改善了基板刻蚀完成后的吸片现象，提高了基板刻蚀的合格率。

附图说明

图1是现有技术中的干刻设备的反应腔的示意图；

图2是现有技术中干刻设备的下部电极的示意图；

图3是现有技术中干刻设备的下部电极的俯视图；

图4是现有技术中完成刻蚀后的基板在抬升的过程中出现的吸片现象的示意图；

图5是本发明一实施例提供的干刻设备的电极的俯视图；

图6是本发明实施例提供的干刻设备的电极的沿图5中AA’的剖面示意图；

图7是本发明一实施例提供的干刻设备的电极的俯视图；

图8是本发明实施例提供的干刻设备的电极中的垫结构为梯形结构的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。