[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310721515.6 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103730555A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;刘晓峰;张东炎;张洁;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.氮化物半导体发光器件，包含：
衬底，由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依次叠层于所述衬底之上；
其特征在于：还包括电流扩展层，其具有至少由两层u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构，在所述各u型氮化物半导体层之间的界面处形成n型掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×1018cm-3。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述电流扩展层的厚度为100~20000 nm。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述电流扩展层具有2~200层u型氮化物半导体层。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层的厚度为1~100 nm。
5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处形成n型掺杂的厚度≤2 nm。
6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处的n型掺杂浓度为5×1018 ~ 5×1020 cm-3。
7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处的n型掺杂浓度大于所述n型层的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处的n型掺杂浓度为均匀掺杂。
9.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处的n型掺杂浓度呈线性递增或递减。
10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半导体层之间界面处的n型掺杂浓度呈锯齿、矩形、正弦或阶梯状分布。
11.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：还包括由预定间隔隔开的绝缘部组成的分布绝缘层，其位于所述u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构内部或/和所述多层结构与所述n型层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310721515.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
