[发明专利]一种高温超导Lange耦合器的制备方法

权利要求书

1.一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

（1）采用高温超导薄膜加工工艺，在介质基片两侧制作形成超导薄膜层；

（2）采用磁控溅射技术，在超导薄膜层上制作形成金膜层；

（3）采用光刻工艺，在超导薄膜层和金膜层上形成对准参考标记、耦合器线条和电极图形，得到耦合器交指；

（4）根据耦合器交指，采用金丝键合或金膜桥接工艺，制作形成耦合器交指间的互联。

2.根据权利要求1所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的采用高温超导薄膜加工工艺，在介质基片两侧制作形成超导薄膜层的具体过程为：在氧化镁或铝酸镧介质基片上采用溅射或蒸发镀膜的方式形成超导薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的对准参考标记为在金膜层上经过光刻工艺刻蚀形成的长方体凹槽，所述的长方体凹槽的长和宽的范围均为0.1mm~3mm，所述的长方体凹槽的底面为超导薄膜层与金膜层相接触的面。

4.根据权利要求1所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于： 若步骤（4）中采用金丝键合工艺制作形成耦合器交指间的互联，则步骤（3）中所述的采用光刻工艺，在超导薄膜层和金膜层上形成对准参考标记、耦合器线条和电极图形，得到耦合器交指的具体过程为：

a.采用光刻工艺在金膜层上刻蚀形成对准参考标记；

b.根据对准参考标记，采用光刻工艺制作形成器件电极与金丝键合处的掩膜层和器件图形的掩膜层；所述的器件电极与金丝键合处的掩膜层和器件图形掩膜层的厚度范围均为0.5μm~2.2μm；

c.采用离子束或等离子体刻蚀技术，在上述掩膜层上刻蚀形成图形，得到耦合器交指；

d.采用金丝键合工艺制作形成耦合器交指间的互联。

5.根据权利要求1所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：若步骤（4）中采用金膜桥接工艺制作形成耦合器交指间的互联，则步骤（3）中所述的采用光刻工艺，在超导薄膜层和金膜层上形成对准参考标记、耦合器线条和电极图形，得到耦合器交指的具体过程为：

a. 采用光刻工艺在金膜层和超导薄膜层上刻蚀形成对准参考标记、耦合器线条和电极图形；

b.在上述步骤基础上，采用射频溅射工艺，形成介质层并沉积介质层，根据对准参考标记，采用光刻工艺在介质层上刻蚀形成介质图形并沉积金膜层；

c.在沉积后的金膜上制作形成电极区和跨线的掩膜层，并采用离子束或等离子在掩膜层上进行刻蚀，形成耦合器交指间互联。

6.根据权利要求4所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：步骤d中所述的采用金丝键合工艺中所采用的引线直径为18μm。

7.根据权利要求5所述的一种高温超导Lange耦合器的制备方法，其特征在于：所述的金膜沉积中金膜的厚度范围为0.2μm~1μm。