[发明专利]一种低表面浓度的扩散方法

权利要求书

1.一种低表面浓度的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：

a）将硅片置于扩散炉中，并向扩散炉中通入含有磷源的小N₂，N₂和O₂，在800℃～820℃的温度下，对所述硅片进行磷扩散；

b）关闭小N₂，保持800℃～820℃的温度，向扩散炉中通入N₂和O₂对所述硅片进行通氧短时推阱；

c）向所述扩散炉中通入N₂，在850℃～870℃的温度下，对所述硅片进行高温氮推阱；

d）向所述扩散炉中通入N₂，在740℃～780℃的温度下，对所述硅片进行低温氮推阱；

e）在N₂保护下，对所述硅片进行出炉操作。

2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤a）中各气体通量范围如下：小N₂：1.8slm～2.3slm；N₂：15slm～21slm；O₂：1.1slm～1.4slm。

3.根据权利要求1或2所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤a）的执行时间为15min～20min。

4.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤b）中各气体通量范围如下：N₂：15slm～21slm；O₂：1.8slm～2.4slm。

5.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤b）的执行时间为3min～8min。

6.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤c）中N₂的通量范围为15slm～21slm。

7.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤c）的执行时间为8min～10min。

8.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤d）中N₂的通量范围为15slm～21slm。

9.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤d）的执行时间为30min～35min。

10.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤e）具体为在通量范围为15slm～21slm的N₂保护下，保持温度为740℃～780℃，将所述硅片取出。