[发明专利]等离子体刻蚀系统有效
| 申请号： | 201310718975.3 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733277A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨平;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 系统 | ||
1.一种等离子体刻蚀系统，其特征在于，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。
2.根据权利要求1所述的刻蚀系统，其特征在于，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号为由同一脉冲信号发生器产生，所述射频源和所述光谱仪并联连接在所述脉冲信号发生器和所述反应腔之间。
3.根据权利要求2所述的刻蚀系统，其特征在于，还包括，位于所述脉冲信号发生器和所述光谱仪之间的脉冲计数器，所述脉冲计数器用于累计所述脉冲的数量，当所述脉冲的数量达到预定值后，控制所述光谱仪光栅的开关。
4.根据权利要求3所述的刻蚀系统，其特征在于，所述预定值为5。
5.根据权利要求1-4任一项所述的刻蚀系统，其特征在于，所述射频源为多个。
6.根据权利要求1-4任一项所述的刻蚀系统，其特征在于，所述终点检测系统利用特定波长光的发射光谱进行检测；所述特定波长光是等离子体刻蚀过程中的反应气体或者反应副产物产生的特定波长的光。
7.根据权利要求1-4任一项所述的刻蚀系统，其特征在于，所述终点检测系统利用特定波长光的吸收光谱进行检测；所述特定波长光是等离子体刻蚀过程中的反应气体或者反应副产物产生的特定波长的光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司;，未经中微半导体设备（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310718975.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：底部抗反射涂层的涂覆方法
- 下一篇：调查带电粒子射束的波阵面的方法
