[发明专利]一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法在审
| 申请号： | 201310718358.3 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733337A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 冯泉林;闫志瑞;赵而敬;李宗峰;盛方毓;程凤伶;孙媛 | 申请（专利权）人： | 有研新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 分析 硅片 体内 金属 沾污 测试 方法 | ||
1.一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)清洗硅片，去除硅片表面的颗粒和金属，然后将硅片载入氧化炉炉腔；
(2)在高温、氩气和氧气的混合气氛下，使硅片表面生长氧化层，生长温度为1000～1100℃，形成氧化层的厚度为1000～1500
(3)使用表面颗粒激光分析仪测定硅片表面颗粒，分析表面缺陷的分布；
(4)使用扫描电镜对颗粒聚集区域进行分析，测试缺陷成分，并对沾污进行定性判断。
2.根据权利要求1所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，硅片载入氧化炉炉腔的温度为500～700℃，载入过程在惰性气体保护下进行。
3.根据权利要求2所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，以10～30℃／s的升温速度升温至生长温度。
4.根据权利要求1所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，在生长氧化层的过程中，氩气和氧气的体积比为6∶1～1∶1。
5.根据权利要求1所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，氧化层生长完成后，以10～30℃／s的降温速度降温到600℃出炉。
6.根据权利要求1所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，混合气氛中氩气的纯度要为99.999999％以上，氧气的纯度为99.9999％以上。
7.根据权利要求1所述的用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，所述氧化炉中的炉管为高纯石英材料，炉管导致的金属沾污控制在1E9atom／cm3以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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