[发明专利]像素阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其像素阵列基板，且特别是有关于一种边缘电场切换式显示面板及其像素阵列基板。

背景技术

现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体组件与显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的显示面板已逐渐成为市场的主流。为了让显示面板具有更好的显示质量，目前市面上已发展出了各种广视角的显示面板，例如有共平面切换式(in-plane switching，IPS)、多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment，MVA)以及边缘电场切换式(fringe field switching，FFS）显示面板等。其中，边缘电场切换式显示面板除了具有广视角的特性外更具有低色偏的的特性，因此广为消费者所喜爱。

然而，在公知边缘电场切换式显示面板中，每一像素单元的像素电极被配置于其上的共享电极及绝缘层覆盖，每一像素单元的薄膜晶体管亦被绝缘层覆盖，因此当边缘电场切换式显示面板发生显示不良的问题时，检测者不易对每一像素单元的薄膜晶体管进行检测，而不易分析显示不良的真因。

发明内容

本发明提供一种像素阵列基板及显示面板，其薄膜晶体管易于检测。

本发明的一种像素阵列基板，包括基板以及多个像素单元。多个像素单元阵列排列于基板上。每一像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、共享电极、绝缘层以及检测电极。薄膜晶体管具有源极、栅极以及漏极。像素电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。像素电极配置于共享电极与基板之间。共享电极具有暴露像素电极的多个狭缝。绝缘层配置于共享电极与像素电极之间且具有暴露像素电极的接触孔。检测电极与共享电极属于同一膜层且与共享电极分离。检测电极填入绝缘层的接触孔而与薄膜晶体管的漏极电性连接。

本发明的显示面板，包括上述像素阵列基板、相对于像素阵列基板的对向基板以及配置于像素阵列基板与对向基板之间的显示介质。

在本发明的一实施例中，上述的绝缘层的接触孔位于漏极以外的区域，而检测电极透过像素电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的每一像素单元更包括蚀刻保护图案。蚀刻保护图案配置于绝缘层的接触孔与像素电极之间且与像素电极接触。检测电极填入绝缘层的接触孔而与蚀刻保护图案接触。

在本发明的一实施例中，上述的蚀刻保护图案与薄膜晶体管的漏极属于同一膜层。

在本发明的一实施例中，上述的蚀刻保护图案与薄膜晶体管的漏极分离。

在本发明的一实施例中，上述的绝缘层的接触孔暴露漏极与像素电极的重迭处，检测电极填入接触孔而与漏极接触。

在本发明的一实施例中，上述的每一像素单元还包括与栅极电性连接的扫描线以及与源极电性连接的数据线。扫描线遮蔽绝缘层的接触孔及检测电极。

基于上述，在本发明一实施例的像素阵列基板及显示面板中，每一像素单元的像素电极是被绝缘层的接触孔暴露，且每一像素单元包括填入接触孔且与薄膜晶体管电性连接的检测电极。因此，检测者可容易地令探针与每一像素单元的检测电极接触，进而量测到薄膜晶体管的电性。因此，公知技术中像素电极受到绝缘层阻挡而使薄膜晶体管电性不易量测的问题可获得改善。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的像素阵列基板的上视示意图；

图2为根据图1的剖线A-A’绘示的像素阵列基板的剖面示意图；

图3为本发明另一实施例的像素阵列基板的上视示意图；

图4为根据图3的剖线B-B’绘示的像素阵列基板的剖面示意图；

图5为本发明又一实施例的像素阵列基板的上视示意图；

图6为根据图5的剖线B-B’绘示的像素阵列基板的剖面示意图；

图7为本发明再一实施例的像素阵列基板的上视示意图；

图8为根据图7的剖线D-D’绘示的像素阵列基板的剖面示意图；

图9为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。

【主要组件符号说明】

100、100A-100C：像素阵列基板

110：基板

120：像素单元

122、122C：像素电极

124：共享电极

124a：狭缝

124b：第一分支

124c：第二分支