[发明专利]双电极便携检测装置

权利要求书

1.一种双电极便携检测装置，其特征在于，所述装置包括：便携检测装置本体和腕带；其中，所述便携检测装置本体包括：正面和背面，其中，

所述正面包括检测手指信号的第一导联电极；

所述背面包括检测手腕信号的第二导联电极。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一导联电极包括：手指复合检测探头和光学模组。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：检测电路，所述检测电路包括：放大器、微处理器和开关元件；其中，

所述光学模组的检测信号通过所述放大器与所述微处理器连接；

所述手指复合检测探头的检测信号和所述第二导联电极的检测信号均通过所述放大器与所述微处理器连接。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，

所述手指复合检测探头的检测信号和所述第二导联电极的检测信号中的一个检测信号通过所述放大器和所述开关元件与所述微处理器连接。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述检测电路具体包括：

第一放大器、第二放大器、第三放大器、微处理器MCU和场效应管；其中；

所述第一放大器的负输入端与输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述MCU连接，所述第一放大器的正输入端与所述光学模组的检测信号连接；

所述第二放大器的负输入端与输出端连接，所述第二放大器的输出端与所述MCU连接，所述第二放大器的正输入端与所述手指复合检测探头的检测信号连接；

所述第三放大器的负输入端与输出端连接，所述第三放大器的输出端与所述MCU连接，所述第三放大器的正输入端与所述第二导联电极的检测信号连接；所述第二导联电极的检测信号连接所述场效应管的漏极D，所述场效应管的源极S接地，栅极G与所述MCU连接。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在，所述检测电路具体包括：

第一放大器、第二放大器、第三放大器、微处理器和场效应管；其中；

所述第一放大器的负输入端与输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述MCU连接，所述第一放大器的正输入端与所述光学模组的检测信号连接；

所述第二放大器的负输入端与输出端连接，所述第二放大器的输出端与所述MCU连接，所述第二放大器的正输入端与所述手指复合检测探头的检测信号连接；

所述第三放大器的负输入端与输出端连接，所述第三放大器的输出端与所述MCU连接，所述第三放大器的正输入端与所述场效应管的源极S连接，所述场效应管的漏极D与所述第二导联电极的检测信号连接，栅极G与所述MCU连接。

7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述检测电路具体包括：

第一放大器、第二放大器、第三放大器、微处理器和场效应管；其中；

所述第一放大器的负输入端与输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述MCU连接，所述第一放大器的正输入端与所述光学模组的检测信号连接；

所述第二放大器的负输入端与输出端连接，所述第二放大器的输出端与所述MCU连接，所述第二放大器的正输入端与所述手指复合检测探头的检测信号连接；所述手指复合检测探头的检测信号连接所述场效应管的漏极D，所述场效应管的源极S接地，栅极G与所述MCU连接；

所述第三放大器的负输入端与输出端连接，所述第三放大器的输出端与所述MCU连接，所述第三放大器的正输入端与所述第二导联电极的检测信号连接连接。

8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述检测电路具体包括：

第一放大器、第二放大器、第三放大器、微处理器和场效应管；其中；

所述第一放大器的负输入端与输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述MCU连接，所述第一放大器的正输入端与所述光学模组的检测信号连接；

所述第二放大器的负输入端与输出端连接，所述第二放大器的输出端与所述MCU连接，所述第二放大器的正输入端与所述场效应管的源极S连接，所述场效应管的漏极D与所述手指复合检测探头的检测信号连接，栅极G与所述MCU连接；

所述第三放大器的负输入端与输出端连接，所述第三放大器的输出端与所述MCU连接，所述第三放大器的正输入端与所述第二导联电极的检测信号连接。

9.根据权利要求3—8任一所述的装置，其特征在于，所述检测电路还包括：无线传输模块，所述无线传输模块与所述MCU连接。