[发明专利]一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法

权利要求书

1.一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法，其特征方法是：在自行设计的冷等离子弧装置中，在大气环境下以六甲基二硅氧烷为单体，CF₄为携带气体，在等离子体放电区域内，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到离解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合 Si-O-Si 前驱物，最终沉积在载体上形成致密的SiOx粉体。

2.根据权利要求1所述一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法，其特征在于：所述单体由浮子流量计控制，携带气体由质量流量计控制，单体和携带气体通过混合区混合同时进入放电区。

3.根据权利要求1所述的一种在大气压下用冷等离子弧制备SiOx超疏水粉体的方法，其特征在于：所述自行设计的冷等离子弧装置，它包括压缩机、电源、冷等离子枪、单体、浮子流量计、质量流量计和气瓶，冷等离子枪通过电源连接，单体与浮子流量计、压缩机连接，携带气体通过气瓶提供，与质量流量计连接。