[发明专利]一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备

权利要求书

1.一种膜层刻蚀防损伤监控方法，其特征在于，包括：

在形成低温多晶硅的膜层图形之后监测并记录所述低温多晶硅的膜层的透光率基准值，所述膜层为有源层；

在所述膜层图形上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中，位于所述过孔正下方的光感探头实时监测所述膜层的透光率现有值，实时监测膜层的透光率现有值，

所述刻蚀过孔的过程是采用膜层刻蚀防损伤监控设备进行的，所述膜层刻蚀防损伤监控设备包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率；

所述腔室还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源，所述射频电源采用间断供给的方法，在断电时间段进行膜层的透光率的监测，

当所述透光率现有值达到透光率基准值的100％～120％时，停止刻蚀。

2.如权利要求1所述的监控方法，其特征在于，监测所述膜层的不同位置的多个透光率值。

3.如权利要求2所述的监控方法，其特征在于，监测所述膜层的不同位置的9～25点透光率值。

4.如权利要求1所述的监控方法，其特征在于，所述膜层为有源层，所述阻挡层为栅绝缘层和层间绝缘层。

5.如权利要求4所述的监控方法，其特征在于，所述栅绝缘层和层间绝缘层的厚度之和与所述有源层的厚度的比值在10:1以上。

6.如权利要求1所述的监控方法，其特征在于，形成有源层图形具体包括：

沉积非晶硅层，将非晶硅进行晶化形成多晶硅层，对多晶硅层采用构图工艺形成有源层图形。

7.如权利要求6所述的监控方法，其特征在于，监测并记录该有源层的透光率基准值具体包括：

对有源层进行光束照射，感应所述有源层图形的透光率，并将该透光率作为有源层的透光率基准值。

8.一种基于权利要求1-7任一项所述的膜层刻蚀防损伤监控方法的阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积缓冲层；

在缓冲层上形成有源层的图形，监测并记录所述有源层的透光率基准值；

在完成上述步骤的基板上沉积阻挡层和栅电极层；

对阻挡层进行刻蚀过孔，在刻蚀过程中，位于所述过孔正下方的光感探头实时监测有源层的透光率现有值，所述刻蚀过孔的过程是采用膜层刻蚀防损伤监控设备进行的，所述膜层刻蚀防损伤监控设备包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率；所述腔室还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源，所述射频电源采用间断供给的方法，在断电时间段进行膜层的透光率的监测；

在完成上述步骤的基板上形成源漏电极层，所述源漏电极通过过孔与有源层实现电连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述阻挡层包括栅绝缘层和层间绝缘层；所述栅绝缘层和层间绝缘层的厚度之和与所述有源层的厚度的比值在10:1以上。

10.如权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，当所述透光率现有值达到透光率基准值的100％～120％时，停止刻蚀。

11.一种膜层刻蚀防损伤监控设备，其特征在于，包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率；

所述腔室为真空腔室，所述真空腔室中设有刻蚀装置；所述刻蚀装置具体包括：

相对设置的上极板和下极板，其中一个极板接地，另外一个极板接射频电源，使得上极板和下极板之间生成对基板进行刻蚀的等离子体；

所述下极板用于放置待刻蚀的基板，

其中，还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源，所述射频电源采用间断供给的方法，在断电时间段进行膜层的透光率的监测。

12.如权利要求11所述的监控设备，其特征在于，所述真空腔室连通反应气体源。

13.如权利要求11所述的监控设备，其特征在于，所述光源位于所述上极板上；

或者，所述光源位于真空腔室的侧壁；

或者，所述光源位于真空腔室的上壁。